Запоминающая матрица Советский патент 1976 года по МПК G11C11/14 

I

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств.

Известны запоминающие матрицы, содержащие цилиндрические магнитные пленки (ЦМ|П), управляющие обмотки и кипер. Одна из известных запоминающих матриц содержит ЦМП, которые вставлены в каналы набора адресных обмоток возбуждения, заключенных В сомкнутые с двух сторон крыщки 1. На внутреннюю поверхность крышек нанесен ферромагнитный слой, который является основным магнитным шунтом для потока рассеяния. Однако нанесение ферромагнитного слоя увеличивает индуктивность адресных обмоток, что отрицательно сказывается на быстродействии матрицы. Наиболее близким техническим решением к изобретению является запоминающая матрица, которая содержит, как и предложенная, ЦМП, охваченные адресными обмотками, и кипер 2. Однако применение магнитного кипера с целью уменьшения ВЛИЯНИЯ ПОТОКОВ возбуждения соседних запоминаюш,их элементов на информацию в выбранном элементе и повышения плотности записи информации также увеличивает индуктивность адресных обмоток, что приводит к снижению быстродействия матрицы.

Целью изобретения явлеятся повышение плотности записи информации. В описываемой

запоминающей матрице это достигается тем, что В ней кипер выполнен из изоляционных шайб, расположенных на ЦМП, торцы шайб покрыты ферромагнитной пленкой с немагнитным зазором.

На фиг. 1 показана описываемая матрица; на фиг. 2 - кипер.

Описываемая матрица содержит ЦМП 1, разрядные шины 2, на которые нанесены

ЦМП, адресные обмотки 3, охватывающие ЦМП, и изоляционные шайбы 4 с магнитным покрытием на торцах, расположенных между адресными обмотками. .Шайба выполнена из изоляционного материала с отверстием, имеющим диаметр, достаточный для свободного прохоледения ЦМП. Торцы шайбы покрыты ферромагнитной пленкой с немагнитным зазором а, необходимым для уменьшения индуктивности разрядных шин. Шайбы могут

быть получены прессованием из слоеного материала (пермаллой-диэлектрик-пермаллой). Толщина диэлектрика определяется минимально-допустимым расстоянием между адресными шинами. Наружный диаметр шайб

превышает диаметр витка адресной обмотки. Пленочное покрытие торца шайб составляет слой пермаллоя и является основным магнитным шунтом для потока рассеяния. Схема замыкания потока рассеяния от соседних адреСОВ показана на фиг.1 пунктирной линией б.

Описываемая матрица без снижения быстродействия обеспечивает повышение плотности записи информации и тем самым уменьшает габариты накопителя ЗУ.

Формула изобретения

Запоминающая матрица, содержащая цилиндрические магнитные пленки, охваченные адресными обмотками, и кипер, отличающаяся тем, что, с целью повышения плотности записи информации, кипер выполнен из

изоляционных щайб, расположенных на цилиндрических магнитных пленках, торцы шайб покрыты ферромагнитной пленкой с немагнитным зазором.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1.Авт. св. № 329576, М. Кл. С ПС 11/14, 1970.

2.Авт. св. № 344503, М. Кл. С ПС 11/14, 1970.

и 2