Изобретение относится к области запоминающих устройств.
Известны конструкции запоминающих матриц, в которых элементы 1 амяти герметизируют путем заливки разного рода материалами. При этом предполагается неиосредствепный контакт заливочного материала и ферромагнитной иленки.
Однако при отверждении заливочного материала происходит усадка последнего, в результате чего в пленке возникают механические напряжения, приводящие к ухудшению магнитных свойств элемента памяти; несоответствие темнературных коэффициентов расщирения ферромагнитной пленки и заливочкого материала также приводит к появлению механических напряжений в иленке при изменении температуры охлаждающей среды, что существенно ухздшает рабочие характеристики запоминающей матрицы.
Известна матрица памяти, содержащая основание с отверстиями и магнитные пленки, панесеииые на цилиндрические подложки с управляющими щинами.
В этой матрице подложки с нанесенной на них ферромагнитной пленкой номещаются в специальные отверстия в основании матрицы. Однако надежная герметизация и возможность замены элементов памяти в случае выхода их из строя исключают друг друга,
иоскольку герметизация предполагает заливку всех зазоров между элементами и отверстиями матрицы; удаление элементов намяти после герметизации стг:новится невозможным без разрушения основания матрицы и элемента памяти; при отсутствии герметизации замена элементов иамяти возможна, однако в этом случае в процессе эксплуатации элемеиты памяти подвергаются вредному воздействию окружающей среды (повыщенной влажности, паров агрессивных жидкостей и пр.), что может привести к выходу устройства из строя.
Цель предлагаемого изобретения заключается в следующем: устранение влияния заливочного материала на магнитные свойства ферромагнитной плепки и возможность замены в матрице элементов памяти после их герметизации без нарушения конструкции.
В иредлагае.мой матрщде эта цель достигается путем иомещенпя цилиндрической подложки, па которую нанесена ферромагнитная пленка, в немагнитную диэлектрическую тонкостенную трубку.
Концы трубок заливают компаундом, а сами опи помещаются в отверстия основания матрицы.
в защитную трубку, без герметизации заливочным материалом; на фиг. 2 - герметизированный элемент памяти с шинами уиравления, обший вид в разрезе; на фиг. 3 - основание матрицы с помещенными в него герметизированными элементами иамяти; на фиг. 4 - основание матрицы с герметизированными элементами памяти з разрезе (разрез дан в плоскости адресных шин).
Элемент иамяти, состоящий из иодложки /, представляющей собой либо проволоку, либо диэлектрическую- трубку, и ферромагнитной пленки 2, осажденной на эту подложку, иомещен в диэлектрическую немагнитную трубку 3. Внутренний диаметр трубки 3 несколько больще наружного диаметра подложки с ферромагиитной пленкой. Длииа подлол ки превосходит длину защитной трубки на величину, определяемую конструкцией матрицы. Участки подложки с ферромагнитной пленкой, выступающие из пределы защитной трубки, не используются для хранения информации.; Если в качестве подложки используется проводящий материал, то сама подложка является шиной записи и съема сигнала. В случае использования диэлектрической подложки в виде трубки, последняя прощивается двумя управляющими шинами 4 и 5, одна из которых является шиной записи, другая - щиной съема сигнала.
Выступающие концы подложки и торцы защитной трубки залиты эластичным заливочным материалом 6 (см. фиг. 2).
Герметизированные элементы памяти с управляющими щинами 4 и 5 помещены в отверстня 7 основания 8 Агатрицы, как показано на фиг. 3. Основание матрицы выполнено из изоляционного материала и армировано адресными шинами 9 таким образом, что отверстия основания совпадают с отверстиями адресных шин (фиг. 4).
Концы щин записи, съема сигнала и адреса присоед 1нены к контактному обрамлению матрицы. В случае выхода из строя элемента
памяти замеиа последнего не вызывает затруднений, поскольку после отсоединения шип 4 и 5 записи н съема сигнала от контактного обрамления герметизированный элемент намяти легко извлекается из основания и заменяется годным.
П р е д м е т и з о б р е т е н и я
Матрица памяти, содержащая осиование с отверстиями и магиитные плеики, .нанесенные
на цилиндрические иодложки с управляющими шинами, отличающаяся тем, что, с целью герметизации и возможиости замены пленок, подложки с пленками помещены в диэлектрические немагнитные трубки, концы трубок залиты компаундом, а сами трубки помещены в отверстия основапня матрнцы.
54/
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
!^И5ЛИОТ;КЛ | 1973 |
|
SU368644A1 |
МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ И СПОСОБ ЕЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ | 2014 |
|
RU2573200C2 |
БУФЕРНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСГКО | 1970 |
|
SU273284A1 |
ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ | 1970 |
|
SU264466A1 |
Адресная система машинной памяти | 1957 |
|
SU111430A1 |
Способ записи и считывания информации в МНОП-элементе памяти,МНОП-элемент памяти и матричный накопитель для запоминающего устройства | 1983 |
|
SU1405088A1 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ МАГНИТНЫХМАТРИЦ | 1969 |
|
SU251713A1 |
Запоминающая матрица | 1975 |
|
SU532133A1 |
БУФЕРНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОИСГСО | 1970 |
|
SU287123A1 |
МАГНИТОГРАФИЧЕСКОЕ ПЕЧАТАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО | 1969 |
|
SU236095A1 |
5
Авторы
Даты
1970-01-01—Публикация