ТРИЦА ПАМЯТИ Советский патент 1970 года по МПК G11C11/14 

Описание патента на изобретение SU269218A1

Изобретение относится к области запоминающих устройств.

Известны конструкции запоминающих матриц, в которых элементы 1 амяти герметизируют путем заливки разного рода материалами. При этом предполагается неиосредствепный контакт заливочного материала и ферромагнитной иленки.

Однако при отверждении заливочного материала происходит усадка последнего, в результате чего в пленке возникают механические напряжения, приводящие к ухудшению магнитных свойств элемента памяти; несоответствие темнературных коэффициентов расщирения ферромагнитной пленки и заливочкого материала также приводит к появлению механических напряжений в иленке при изменении температуры охлаждающей среды, что существенно ухздшает рабочие характеристики запоминающей матрицы.

Известна матрица памяти, содержащая основание с отверстиями и магнитные пленки, панесеииые на цилиндрические подложки с управляющими щинами.

В этой матрице подложки с нанесенной на них ферромагнитной пленкой номещаются в специальные отверстия в основании матрицы. Однако надежная герметизация и возможность замены элементов памяти в случае выхода их из строя исключают друг друга,

иоскольку герметизация предполагает заливку всех зазоров между элементами и отверстиями матрицы; удаление элементов намяти после герметизации стг:новится невозможным без разрушения основания матрицы и элемента памяти; при отсутствии герметизации замена элементов иамяти возможна, однако в этом случае в процессе эксплуатации элемеиты памяти подвергаются вредному воздействию окружающей среды (повыщенной влажности, паров агрессивных жидкостей и пр.), что может привести к выходу устройства из строя.

Цель предлагаемого изобретения заключается в следующем: устранение влияния заливочного материала на магнитные свойства ферромагнитной плепки и возможность замены в матрице элементов памяти после их герметизации без нарушения конструкции.

В иредлагае.мой матрщде эта цель достигается путем иомещенпя цилиндрической подложки, па которую нанесена ферромагнитная пленка, в немагнитную диэлектрическую тонкостенную трубку.

Концы трубок заливают компаундом, а сами опи помещаются в отверстия основания матрицы.

в защитную трубку, без герметизации заливочным материалом; на фиг. 2 - герметизированный элемент памяти с шинами уиравления, обший вид в разрезе; на фиг. 3 - основание матрицы с помещенными в него герметизированными элементами иамяти; на фиг. 4 - основание матрицы с герметизированными элементами памяти з разрезе (разрез дан в плоскости адресных шин).

Элемент иамяти, состоящий из иодложки /, представляющей собой либо проволоку, либо диэлектрическую- трубку, и ферромагнитной пленки 2, осажденной на эту подложку, иомещен в диэлектрическую немагнитную трубку 3. Внутренний диаметр трубки 3 несколько больще наружного диаметра подложки с ферромагиитной пленкой. Длииа подлол ки превосходит длину защитной трубки на величину, определяемую конструкцией матрицы. Участки подложки с ферромагнитной пленкой, выступающие из пределы защитной трубки, не используются для хранения информации.; Если в качестве подложки используется проводящий материал, то сама подложка является шиной записи и съема сигнала. В случае использования диэлектрической подложки в виде трубки, последняя прощивается двумя управляющими шинами 4 и 5, одна из которых является шиной записи, другая - щиной съема сигнала.

Выступающие концы подложки и торцы защитной трубки залиты эластичным заливочным материалом 6 (см. фиг. 2).

Герметизированные элементы памяти с управляющими щинами 4 и 5 помещены в отверстня 7 основания 8 Агатрицы, как показано на фиг. 3. Основание матрицы выполнено из изоляционного материала и армировано адресными шинами 9 таким образом, что отверстия основания совпадают с отверстиями адресных шин (фиг. 4).

Концы щин записи, съема сигнала и адреса присоед 1нены к контактному обрамлению матрицы. В случае выхода из строя элемента

памяти замеиа последнего не вызывает затруднений, поскольку после отсоединения шип 4 и 5 записи н съема сигнала от контактного обрамления герметизированный элемент намяти легко извлекается из основания и заменяется годным.

П р е д м е т и з о б р е т е н и я

Матрица памяти, содержащая осиование с отверстиями и магиитные плеики, .нанесенные

на цилиндрические иодложки с управляющими шинами, отличающаяся тем, что, с целью герметизации и возможиости замены пленок, подложки с пленками помещены в диэлектрические немагнитные трубки, концы трубок залиты компаундом, а сами трубки помещены в отверстия основапня матрнцы.

54/

Похожие патенты SU269218A1

название год авторы номер документа
!^И5ЛИОТ;КЛ 1973
  • Авторы Изобретени
SU368644A1
МАГНИТОРЕЗИСТИВНАЯ ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ И СПОСОБ ЕЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ 2014
  • Абдуев Марат Хаджи-Муратович
  • Беспалов Владимир Александрович
  • Дюжев Николай Алексеевич
  • Чиненков Максим Юрьевич
RU2573200C2
БУФЕРНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСГКО 1970
SU273284A1
ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ 1970
SU264466A1
Адресная система машинной памяти 1957
  • Гутенмахер Л.И.
SU111430A1
Способ записи и считывания информации в МНОП-элементе памяти,МНОП-элемент памяти и матричный накопитель для запоминающего устройства 1983
  • Голтвянский Юрий Васильевич
  • Дубчак Александр Прохорович
  • Костюк Виталий Дмитриевич
  • Нагин Александр Петрович
SU1405088A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛЕНОЧНЫХ МАГНИТНЫХМАТРИЦ 1969
SU251713A1
Запоминающая матрица 1975
  • Беккер Яков Михайлович
  • Якобсон Григорий Ильич
SU532133A1
БУФЕРНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОИСГСО 1970
  • В. И. Рыбаченков В. А. Субботин
  • Ил, Пдя
SU287123A1
МАГНИТОГРАФИЧЕСКОЕ ПЕЧАТАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО 1969
  • В. А. Кекели Я. Крумберг, Э. П. Мартинкенас В. Л. Стешец
SU236095A1

Иллюстрации к изобретению SU 269 218 A1

Реферат патента 1970 года ТРИЦА ПАМЯТИ

Формула изобретения SU 269 218 A1

5

SU 269 218 A1

Авторы

В. В. Дубровский, Е. В. Бурнин, В. М. Терехов В. М. Красильников

Даты

1970-01-01Публикация