УНИВЕРСАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ Советский патент 1970 года по МПК H03K19/09 

Предлагаемое устройство относится к области вычислительной и управляющей техники и может быть использовано, например, в цифровых устройствах управления с последовательным опросом каналов ввода и вывода.

Известны универсальные логические элементы, выполненные на транзисторах и сопротивлениях, реализующие любые логические функции в зависимости от внешних связей и содержащие на выходе транзистор определенного типа проводимости, включенный по схеме с общим эмиттером. В известных элементах логические схемы, выполненные на их основе, нерационально расходуют мощность питающих их источников напряжения, чувствительны к внешним факторам (температура, влажность) и не обладают достаточным усилением логических сигналов.

Предлагаемый логический элемент отличается тем, что для стабилизации режима работы в коллекторной цепи выходного транзистора включен мост из резисторов и диода в прямом включении, диагональ которого соединена с эмиттерно-базовым переходом другого транзистора обратного типа проводимости, так что эмиттер последнего связан с общей точкой диода и резистора, образующих параллельную ветвь моста.

графики зависимостей напряжений от токов.

Схема элемента включает главное звено, выполненное на транзисторах 1 vi 2 разных типов проводимости и вспомогательное звепо - на транзисторе 3 одного типа проводимости с транзистором 2.

В коллекторпую цепь транзистора 2 включен мост из резисторов 4-6, диода 7, причем в диагональ моста включен эмиттернобазовый переход транзистора /, коллектор которого образует выход 8.

Схема работает следующим образом.

Значение сигнала на выходе 8 определяется током IK, протекающим в коллекторе трапзистора 2.

На фиг. 2 и 3 представлены графики зависимостей соответственно напряжения АБ эмиттерно-базового перехода от коллекторного тока /к и выходного нанряжения LBUX от тока нагрузки /нУправляющие напряжения f/AB па эмиттерно-базовом переходе транзистора / в зависимости от тока /к ленсат как в отрицательной, так и в положительной области напряжений: при /,/;

при ,

Следовательно, с ростом тока утечки до