ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ Советский патент 1970 года по МПК G11C11/40 

Изобретение относится к интегральным схемам и может найти применение при создании запоминающих блоков электронных счетных машин и других радиоэлектронных устройств.

Известны ячейки памяти, содержащие структуру металл - окись - полупроводник (МОП-структура) с системой электродов для подачи потенциала заданной полярности па электрод затвора.

Однако они сложны и. громоздки.

Описываемая ячейка отличается тем, что в ней электрод затвора содержит металлическую шину, размещенную в зазоре между двумя изолироваииыми электродами уиравлеиия, а между электродом затвора и электродами управления размещена изоляционная пластина.

Это упрощает конструкцию и умеиьщает габариты элемента.

На фиг. 1 и 2 показаны варианты предложенного элемента; на фиг. 3 - его принципиальная схема.

Элемент содержит полупроводник 1, диффузионные области 2, изолирующий слой 3, металлические электроды 4 и 5 (исток, сток), изолированный металлический электрод 6 затвора, дополнительные взаимо изолированные металлические электроды 7 и 8 и изолированную пленку 9.

На кремниевой или же другого полупроводНика подложке Известной технологией МОПструктур создают изолирующий слой 3 с окнами, в которые проводится диффузия. В результате диффузии в полупроводнике образуются диффузионные области 2. В местах диффузионных областей иа изолирующем слое между ними нанесены .мета.члические электроды 4-6. .Металлический электрод затвора частично проходит под дополиительиыми взаимно изолированными металлическими электродами 7 и 8, от которых ои изолироваи плепкой 9. В устройстве, показаином на фиг. 2, между электродами 7 и 6 выполнен зазор.

Элемент памяти работает следующим обраЗОЛ.

Предположим, что в исходиом состоянии элемента канал МОП-структуры закрыт. При подаче на электрод 6 сигнала записи щафор113 электрода 8

мации L;

на электрод /

пойдет электрический ток, иапример автоэмиссии, через диэлектрик. В результате электрод затвора получит потеициал, равный по знаку, но меньший на /величину иадения в пленке 9. По достижении потенциала на электроде 6 величины потенциала порога индуцироваиия канала в МОП-структуре открывается канал, и на электроде счит появляется сигнал. Для перевода элемента в исходное положение на электрод 8 подают сигнал противоположного знака. Пленка 9 может быть как диэлектрической, так и полупроводниковой. В последнем случае контакты электродов 6-8 с этой пленкой должны быть не выпрямляющими для сигналов различной полярности. Конструкция пленки 9 может быть иной, например пленка может покрывать только электрод 6. Если электроды расположены как показано на фиг. 2, роль диэлектрического или полупроводникового слоя может выполнять пленка 3 (чисто диэлектрическая или с полупроводниковым покрытием). В последнем случае заряд электрода 6 может быть осуществлен не только током автоэмиссии или фотоэмиссии, как в первом случае, но и током разряда, иницируемым между электродами 7 и S. В этом случае прибор работает аналогично. 5 10 15 20 При этом обеспечивается хорощая изоляция затвора МОП-транзистора от всех элементов схемы. Предмет изобретения 1.Ячейка памяти, содержащая структуру металл - окись - полупроводник с системой электродов для подачи потенциала заданной полярности на электрод затвора, отличающаяся тем, что, с целью упрощения элемента и уменьшения габаритов, электрод затвора содержит металлическую шину, размещенную в зазоре между двумя изолированными электродами управления. 2.Ячейка памяти по п. 1, отличающаяся тем, что, с целью увеличения надежности работы, между электродом затвора и электродами управления размещена изоляционная пластина.

заа J(

f счш