СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОКРЫТИЯ из КАРБИДАКРЕМНИЯ Советский патент 1970 года по МПК C04B41/85 C04B35/54 

Изобретение относится к способам реставрации изделий из графита с защитным покрытием из карбидаКремния.

Известен способ получения покрытия на графитовых изделиях путем пролитки парогазовой смесью, .содержащей соединения углерода и кремлия.

Цель изобретения - реставрация графитовых пьедесталов, используемых при получении полупроводниковых эпитаксиальных структур.

Достигается это тем, что изделие подвергают обработке в течение 30-40 мин при температуре 1 парогазовой смесью теграхлорида кремния и водорода с последующей обработкой хлористым водородом в течение 10-15 мин.

Предложенный способ осуществляют следующим образом: графитовый пьедестал при налИЧ.ии на нем полукристаллического кремния нагревают в атмосфере водорода до температуры 1 200°С и обрабатывают хлористым водородом. Концентрация хлористого водорода в водороде 7-10 об.о/о. Время обработки в зависимости от толщины слоя поликристаллического кремния составляет 15-30 мин.

После этого температуру пьедестала поднимают до 1450°С и в реакционное пространство подают парогазовую смесь четыреххлористого кремния И водорода, концентрация четыреххлористого кремния в водороде составляет 1, моль, средняя скорость роста карбида кремния составляет 0,2 мк/мин. Через 30-40 мин подачу паров тетрахлорида кремния прекращают, а затем при той же температуре в реактор подают хлористый водород для удаления свободного «ремния с поверхности покрытия. Концентрация хлористого водорода в водороде составляет 7-10 об. %,

время обработки 10-15 мин.

Охлаждение пьедестала до ком.натной температуры производят в атмосфере водорода.

Предложенный способ позволяет сохранить толщину, рельеф и качество имевшегося ранее карбидного покрытия, получить новое карбидное покрытие только на поверхности оголенных мест пьедестала и увеличить срок службы пьедестала в 1,5-2 раза.

Предмет изобретения

Способ получения покрытия из карбида кремния на графите путем пропитки последнего «ремнием, отличающийся тем, что, с целью реставрации графитовых пьедесталов,

используемых при получении полупроводниковых эпитаксиальных структур, изделие подвергают обработке в течение 30-40 лшн при температуре 1 450-1 500°С парогазовой смесью тетрахлорида кремния и водорода с по