СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Советский патент 1970 года по МПК G01R31/26 

Известны способы измерения теплового сопротивления полупроводниковых приборов, по которым измеряют температуру корпуса прибора непосредственно, температуру кристалла полупроводника косвенно, рассеиваемую прибором мощность, а затем вычисляют тепловое сопротивление, характеризующее теплоотвод в приборе.

Недостатком известного способа является необходимость в трех операциях измерения и операции вычисления теплового сопротивления прибора.

Цель изобретения - обеспечение непосредственного отсчета теплового сопротивления полупроводникового прибора по шкале измерительного прибора, упрощение и ускорение измерений.

Для достижения этой цели измеряют разность фаз между током и напряжением на полупроводниковом приборе, которая пропорциональна величине его теплового сопротивления.

Способ заключается в следующем.

Через прибор пропускают синусоидально модулированный ток, с)еднее значение которого равно номинальному току прибора. Образующееся при этом на приборе напряженне подают на фильтр первой гармоники, затем отселектированный сигнал напряжения с фильтра и ток тиристора подают на фазочувствительный прибор, по отградуированной шкале которого определяют тепловое сопротивление полупроводникового прибора.

Предмет изобретения

Способ измерения теплового сопротивления полупроводниковых приборов, при котором на полупроводниковый прибор подают переменное напрянсение с подобранной частотой, отличающийся тем, что, с целью непосредственного отсчета теплового сопротивления полупроводника, измеряют разность фаз между током и напряжением на приборе.