УСТАНОВКА ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ МАТЕРИАЛОВ ПРИ ВЫСОКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ Советский патент 1970 года по МПК G01N3/04 G01N3/18 

Известна установка для исследования материалов нри высоких темиературах, содержащая рабочую камеру, устройства для нагрева и для креиления образца.

Предлагаемая установка отличается тем, что устройство для крепления образца выполнено в виде втулок, размещенных в стенках рабочей камеры, полуфланцев, укрепленных иа концах втулок, керамической трубы, расположенной между иолуфланцами, иа которую устанавливается испытуемый образец, и эксцентриковых прижимов, укреилеиных во втулках и воздействующих на образец при его закреплении. Это повыщает ироизводительность испытаний.

На чертеже изображена рабочая камера описываемой устаиовки в продольном разрезе.

Описываемая установка содержит рабочую камеру /, устройства для нагрева (на чертеже не показаны) и устройство для крепления образца. Последнее выполнено в виде втулок 2 к 3, размещенных в стенках рабочей камеры ./, полуфланцев 4 и 5, укрепленных иа концах втулок 2 и 5, керамической трубы 6, расположенной между полуфланцами 4 и 5,

на которую устанавливается испытуемый образец 7, и эксцентриковых прижимов 8 и 9, укрепленных во втулках 2 и 3 и воздействующих на образец при его закреплении.

Образец 7 вводят в рабочую камеру для испытания через полость втулки 2 до упора в щтифт 10. Затем образец прил имают к втулкам 2 и 5 с помощью эксцентриковых прижимов 8 и 9. Далее производят необходимые испытания.

Предмет изобретения

Установка для исследования материалов при высоких температурах, содержащая рабочую камеру, устройства для нагрева и для крепления образца, отличающаяся тем, что, с целью повыщения производительности испытаний, устройство для крепления образца выполнено в виде втулок, размещенных в стенках рабочей камеры, иолуфланцев, укрепленных .на коицах втулок, керамической трубы, размещенной между иолуфланцами, на которую устанавливается нсиытуемый образец, и эксцентриковых прижимов, укреиленных во втулках и воздействующих на образец при его закреплении.