СЕГНЕТОЭЛЕКТРИК Советский патент 1970 года по МПК H01G4/12 

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано при производстве керамических конденсаторов. Известны сегнетоэлектрики на основе титанатов бария, висмута и стронция с добавкой пятиокиси ниобия, содержащие, вес. %: ВаТЮз ВьОз В качестве материала для изготовления стабильных низкочастотных конденсаторов различных типов на рабочую температуру 125°С широко применяется сегнетокерамический материал т-аооо. Дисковые, пластинчатые и монолитные конденсаторы с толщиной диэлектрика 150 мк, изготовленные из материала Т-1000, изменяют форму емкости в интервале рабочих температур от минус 60 -f 125°С не более ±15%. Однако при изготовлении монолитных конденсаторов с толщиной диэлектрика 70 мк стабильность емкости резко снижается до ±25-30%. С целью улучщения температурной стабильности емкости монолитных конденсаторов по предлагаемому способу в материал дополнительно вводят двуокись церия (СеО2) в количестве от 1,5 до 3% по весу. Ион церия может замещать не только ионы , как пятиокись ниобия, но и ионы Ва2+. Предлагаемый материал представляет собой твердый раствор следующего вещества: ВаТЮз, El TisOiz, SrTiOs с добавками NboOs и СеО.. В качестве исходных .компонентов используют:спек ВаТЮз, обожженный на 1200+1250°С в количестве 77-82 вес. ч.; BigO.- 12-f 14 вес. ч.; TiO-2 3 + 4 вес. ч.; спек SrTiOs, обожженный на 1300-1350°С в количестве 3-г4 вес. ч.; NbaOj 0+1,5 вес. ч.; СеОо 1.,5-3 вес. ч. Затем компоненты размалывают и оформляют заготовки нужного вида, которые спекаются при температурах 1120-1180 С. Предмет изобретения Сегнетоэлектрик на основе титанатов бария, висмута и стронция с добавкой пятиокиси ниобия, отличающийся тем, что, с целью обеспечения стабильной емкости порядка ±15% у монолитных керамических конденсаторов с толщиною диэлектрика 70 мк в интервале температур от -60 до +125°С, он дополнительно содержит окись церия в количестве 1,5-3% по весу.