Сегнетоэлектрический керамический материал Советский патент 1984 года по МПК C04B35/468 

00 СЛ

со о

4 Изобретение относится к радиоэле тронной технике и может быть исполь зовано в производстве многослойных монолитных керамических конденсаторов с палладиевыми электродами. В настоящее Bpeivm как в отечеств ном, так и Е зарубежном конденсаторостроении для изготовления сегнето керамических конденсаторов использу преимущественно материал на основе титана бария. В СССР для изготовлен монолитных керамических низкочастот ных конденсаторов на рабочую темпер туру до 125с широко используют в пром1 шленности сегнетокерамический материал Т-1000, разработанный на о ,нове титаната бария.титаната висмута с добавками титаната стронция и пятиокиси ниобия ij . Величина диэлектрической проница емости материала Т-1000 равна 15001700. Удельное объемное сопротивлен ири 125°С равно 10 °См-см. Тангенс угла диэлектрических потерь tgO 0,015+0,025 при . Монолитные конденсаторы- с платиновыми электрод ми, изготовленные из материала T-lO имеют стабильность емкости, отвечаю щую группе НЗО, т.е. изменение емко ти в интервале температур от -60 + 125с по отношению к емкости при 20°С не превышает +30%. Для развива ющейся промьт1ленности необходимо им монолитные конденсаторы с большей удельной емкостью, более низким тан генсом угла диэлектрических потерь, для которых в качестве электродов можно использовать палладий вместо дефицитной платины. Наиболее близким к изобретению техническим решением является сегне тоэлектрический керамический матери ал следую дего состава, мае . % : :;ъ2сч- 0,3-3,0 С-рГ.0,3-3,0 ,4-4,0 Остальное Дагп1ый материал имеет величину ди электрической проницаемости / 2300-2700, а изменение в интервале температур от -60 до +1.25с не превы шает + 20%, танхеяс угла диэлектрических потерь 0,012-0,018 2. Однако этот материал не оРзеспечивает получения величины диэлектрической проницаемости /со более 2600, а также таьггенса угла диэлектрических потерь менее 0,012, что является его существенным недостатком. Цель изобретения - увеличение диэлектрической проницаемости и умень|1 ение тант-емса угла диэлектрических потерь. Указанная цель досчигсштся тем, что известный сегнетоэлектрический керамический материал, содержащий BaTiOg , , CeO ИЛИ его концентрат, , дополнительно содержит . МпО при следующем соотношении исходных компонентов, мае.%: BaTiO.,93,6-97,5 ,6-2,0 СеОз или его концентрат 0,3-1,5 ЗЬзОз0,3-1,6 TiO 0,2-2,0 НпО0,1-0,3 Пример 1. Для получения состава, содержащего мае. % : 93,6; Kb205 1,0; Cr-02 1,5, , 1,6; TiO 2,0; MnO 0, 3 ,,эагружают в вибромельницу в виде порошков следующие вещества, мае.%; титанат бария 93,5 оксиды ниобия 1,0; церия или его концентрат 1,5; сурьмы 1,6; титана 2,0 и углекислый марганец 0,4. Характеристики этого материала следующие: диэлектрическая проницаемость при 2ас &/БО 2900; тангенс угла диэлектрических потерь при 20°С tp5 о, 006. Свойства материала в зависимости от составов приведены в таблице. Компоненты для получения материала перемешивают в вибромельпице в течение 2-3 ч, в результате чего получают тонкоизмельченнг-1й порошок, к которому добавляют поливиниловый спирт либо раствор каучука, а затем получают образцы либо прессованием дисков, либо отливкой через фильеру пленки, на которую наносят палладиевые электроды. Образцы обжигают при 1320-1400 С в течение 2-4 ч и получают дисковые или монолитные заготовки конденсаторов из предлагаемого сегнетокерамического материала.Предлагаемый материал имеет величину диэлектрической проницаемости при 20°С 2660-2900, тангенс угла диэлектрических потерь при t Р: S 0,0060,01. Конденсаторы, изготовленные из этого материала, имеют высокую стабильность емкости по группе Н20 в интервале температур от -60 до +125°С. Предлагаемое изобретение позволяет получать качественные конденсато РЫ с большей удельной емкостью и более низким значением тангенса угла диэлектрических потерь. Технико-экономическая эффективность лредлагаемого матер1иала состоит в использовании палладиевых электродов вместо дорогостоящих платиновых при одновременном улуч111ении характеристик материала.

СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ, содержащий BaTiO Се02 или его концен трат, .о тличающийс я тем, что, с целью увеличения диэлектрической проницаемости и уменьшения тангенса угла диэлектрических потерь, он дополнительно содержит МпО при следующем соотношении исходных компонентов, мае.% 93,6-97,5 BaTiO Nb,0 0,6-2,0 или его концентрат СеО-, 0,3-1,5 0,3-1,6 въгОэ Ti02 0,2-2,0 0,1-0,3 МпО S (Л с