ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ RC-СТРУКТУРА С РАСПРЕДЕЛЕННЫМИ Советский патент 1970 года по МПК H01L49/02 H01C7/18 

TI

Изоб;ретение относится к области микроэлектроники.

Известны КС-етруктуры € распределенными параметрами, выполненные в виде конденсатора, обкладками которого служат резистиеные элементы RC-схемы.

Цель изобретения - упрощение конструкции и технологии изготовления.

Достигает1ся это тем, что резистивные элементы с электрическими выводами выполнены в виде двух параллельных полос, напыленных в плоскости подложки.

На фиг. 1 - три вида НС-структур; на фиг. 2 - схема технологического процесса изготовления мультивибратора с распределенными RC-СТруктурам-и; на фиг. 3 - общий вид мультивибратора с активными элементами; на фиг. 4 - принципиальная схема мультивибратора.

На диэлектрической подложке / ра оположены участки резистивных 2 и проводящих 5 слоев таким образом, что между двумя резисторами (или резистором и проводником), разделенными узким зазором, существует распределенная емкость, определяемая величиной зазора, шириной элементов и диэлектрической проницательностью подложки. В заВИсимо-сти от геометрии участков слоев могут быть получены, например, 1структуры Следующих типов: а - ст;руктура типа RC-nR; б -

структура типа RC; в - структура типа RC- проводник CR.

Заданный закон изменения погонных параметров может быть обеспечен изменением ширины зазора и ширины резистивных элементов. Емкостные элементы RC-структуры отличаются высокой надежностью. При зазоре между резистивными (или между резистивным И проводящ:им) элементами порядка 20-

40 мк пробивное напряжение составляет несколько сот вольт, а возникновение произвольных «закороток исключено .

:В качестве примера рассмотрен процесс изготовления мультивибратора с распределенными параметрами предлагаемой конструкции.

В -качестве материала подложки с высокой диэлектрической проницаемостью использована сегнетокерамика марки Т-2000, в качестве

резистивного материала - хром, в качестве -проводящего - медь.

Слои хрома и меди наносятся испарением IB вакууме. Размерная обработка получена методом электроннолучевого маскирования с

избирательным правлением.

резистивные элементы КС-схемы, отличающаяся тем, -что, € целью удрощения конструкции и технологии изготовления, упомянутые реЗИСтиеные элементы .с электрическими выводами выполнены .в виде двух параллельных полос, напыленных -в ллоокости подложки.

Налылв/-/ие иермета ттш тттхЖ

ЗлектроунолуцеЬае маскирооамив I хрома и нермето

Злехтрог нолучёЬое

ITS Т

- - ----- mpo&nefH/e ei

ЭлемтронмлучеЬое 1 И Иат мас иро а//ае о

/,/,( М ,r,nr,/}nt: и„а

f,

Фиг 2

Фие 3