БИБЛИОТЕКА IНЕЙРИСТОР Советский патент 1970 года по МПК G09B23/28 

Изобретение относится к бионике и смежным с ней отраслям науки и техники, биологической и .медицииской кибернетике, в частности к проблемам моделирования биол:0гических систем.

Извест1ны нейристоры с использованием полупроводниковой структуры с S-образной вольт-ам1пе рной характеристикой и положительной обратной связью между элементами. Последовательно с полупроводниковой структурой включен реЗИСтор с сопротИ|Влением порядка нескольких килоом. Недостатками такого резистора являются большой объем, лиэкая надежность и нетех1нологичность в микроэлектронном ИСпол1нени.и.

Цель изобретения - создание малогабаритного нейристора, повышение его надежности и упрощение технологии изготовления. Достигается она тем, что каждый элемент предлагаемого «ейр.истора представляет собой активную (полупроводниковую структуру, последовательно с которой соединен конденсатор. Каждый элемент подключен к источнику переменного напряжения.

На фиг. 1 изоб|ра жен |п(рюдольный раЗрез нейрИ1СТО(ра; на фтт. 2-вид ic&eipxy; ф.иг. 3 -1п1ри1нцмпиалыная электрйчаакая схема.

В качестве активной структуры с S-образной вольтамперной характер,исти1кой использована полупрово|ДНИ1КО-вая .структура с базой.

толщина которой зна чительно превыщаст диффузионную длину неосновных носителей тока, легированной првмесями, например золотом, образующими глубокие энергетические уровни. Пластина / из я-кремния металлизирована снизу слоем 2. Сверху она покрыта слоем изоляции 3. На пластине выполнены области 4 р-типа (например, методом электроннолучевой технологии), скрытые под слоем

изоляции 3, за исключением выходящих изпод слоя изоляции небольщих областей, на котарые нанесены контактные нлощадки 5. Контактные площадки (Покрыты слоем диэлектрика 6. На этот слой нанесен проводящий электрод 7, а также изолированный от него пусковой электрод 8, находящийся над затуокающим элементом 9. Между электрода(М.и и контактными площа.дками образуется емкость определенной величины.

Расстояние .между активными элементами выбрано достаточно малым, чтобы при срабатывании одного из элементов диффузия яаиосителей тока выз.вала ср.абатывание соседних. Нейристор питается от высокочастотного генератора W, напряжение которого меньше пробивного напряжения полупроводниковой структуры. При юодаче на запускающий элемент 9 и,мнульса от источника 11 с амтлитудой, большей пробивного нап|ряжания, происют в 5 слое до первого рабочего элемента, который прО:б,ивается. Пробой (распространяется далее от сработавшего элемента к соседнему.

Рефракто;рнын период определяется разрядом емкости через обратное сопротивление лолупрОБОдНИкоБой структуры. Вольтамнер.ная характеристика 11олупроводни;ко1вой структуры, необходимая для правильной работы нейристора, имеет стандартный вид.

Емкость, обратное сопротивление 5-элемента и частоту -питания выбирают так, чтобы после однократного пробоя элемента он не пробивался в следующем же периоде.

Предмет ;И з о б р е т е щ -и я

Пейристор, использующий полупроводниковую структуру с вольт-амперной характеристикой S-типа с лоложительной обратной связью между соседними элементами, например, за счет диффузия носителей тока, выполненный на твердом теле, отличающийся тем, что, с целью повышения его надежности, уменьшения габаритов и упрощения технологии изготовления, каждый его элемент представляет сОбой активную нолулр01вод.никовую структуру, после.довательно с которой соединен конденсатор и каждый такой элемент подключен к источнику переменного напрян ения.

сх„

2 3

51155555555