Фоточувствительный приемник Советский патент 1977 года по МПК H01L31/00 

(54) ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ПРИЕМНИК

Изобретение относится к технике производства фотоэлементов.

Известные фоточувствительные приемники с р-п-переходом как гомогенным, так и гетерогенным в своей спектральной характеристике не дают резкого перехода от максимального положительного значения до минимального отрицательного значения на узком участке спектра, порядка сотни ангстрем.

Цель изобретения - создание фоточувствительного приемника, способного регистрировать небольшие изменения в спектральном составе излучения, получение линейного участка смены знака фотоЭДС в зависимости от длины вюлны падающего излучения.

Для этого на структуре с гомогенным р-ппереходом создают гетеропереход нанесением широкозонного полупроводника. При этом контактные поля гетероперехода и гомоперехода направлены навстречу одно другому. Толщина широкозонного полупроводникового слоя сравнима с глубиной проникновения регистрируемого излучения.

В зависимости от применяемых материалов гетероперехода точка инверсии знака и и x)f может лежать в различных участках спектра.

В небольших пределах (порядка 100 А) точкой инверсии можно управлять, изменяя приложенное напряжение.

На фиг. 1 показан поперечный разрез фоточувствительного приемника; на фиг. 2 изображена спектральная характеристика тока короткого замыкания.

На монокристаллическую пластинку 1 кремния (Si) толщиной порядка 100-200 мк напылением в вакууме или иным известным образом нанесен слой 2 теллурида кадмия (CdTe) с проводимостью /з-типа, толщиной на два порядка меньше.

На слой CdTe распылением в вакууме наносится слой, который впоследствии служит электрическим контактом 3. В результате прогрева в вакууме, диффузией In в теллуриде кадмия создается область 4 с п-типом проводимэсти.

Электрическим контактом к кремнию служит слой 5 никеля, наносимый по известной технологии. Толщина как никелевого, так и индиевого электродов около I мк.

Возможно создание системы (сложной структуры) с р-п-переходом в кремний и слоем с р-проводимостью в теллуриде кадмия.

НИИ. При этом в обоих случаях могут быть использованы различные материалы типа А В с шириной запретной зоны большей, чем у кремния илн германия, соответственно. В этом случае точка инверсии знака короткого замыкання и ЭДС холостого хода будет соответственно изменять свое положение на спектральной осн. Такой фоточу1вствнтельный элемент может применяться в устройствах для днстанционного нзмерення и автоматической регулировки высоких температур.

Формула изобретения

Фоточувствнтельный приемник с двумя выводами с р-л-переходом, отличающийся тем, что, с целью получення линейного участка смены знака фотоЭДС в зависимости от длины волны падающего излучения, на освещаемой стороне диодной структуры нанесен слой широкозонного полупроводника, образующнй дополнительный р-л-переход встречного направлення

n-cdTe

p-CdTe