СПОСОБ ИЗБИРАТЕЛЬНОГО ЭЛЕКТРОХИЛТИЧЕСКОГО Советский патент 1971 года по МПК C25F3/02 H05K3/08 

Изобретение относится к технике нроведения фотолитографических ироцессов.

Известен снособ избирательного травления диэлектрического слоя на металлической иоверхиости в растворе, химическим взаимодействующем с иоверхностью металла, заключающийся в том, что для защиты от химического иротравливания металла, процесс ведут нри таком значении потенциала иа металле, при котором разряд иоиов водорода не осуществляется на данном металле.

С целью электрохимической защиты поверхности металла по предлагаемому способу потенциал металла в травящем растворе смещают в отрицательную область до потенциала выделения на нем ионов водорода.

Образец погружают в травитель под огрицательным смещением от внещнего источника постоянного тока. Анодом может служить любой инертный электрод, например платиновая сетка. Напряжение на электродах должно быть равно 5-10 0.

В процессе химического травления слоя диэлектрика при соприкосновении травителя с поверхностью металла замыкается электрическая цепь, и начинается электролиз травителя с выделением водорода на металлической поверхности образца, так как потенциал слоя металла, погруженного в травитель, резко сдвинут в отрицательную сторону, и тем самым подавляется процесс химического воздействия травителя на поверхность последнего.

На фнг. 1 показан образец до нроведення

нроцесса травления, разрез; на фиг. 2 - электрическая схема процесса травления; на фиг. 3 - образец со вскрытым контактным окном в слое диэлектрика до поверхности омического контакта 2 после удаления защитной

маски фоторезиста с его поверхности.

Образец представляет собой кремниевую пластину / с илаиарным /5-п-переходом и омическим контактом 2, вынесенным на поверхность пленки окисла кремния 3. Омический

контакт к р-/г-переходу представляет собой двухслойную металлическую композицию Ti- Ag общей толщиной 1,3-1,4 мкм, нанесенную иа поверхность кремниевой пластины методом вакуумного распыления. Структура защищеиа слоем неорганического стекла (диэлектрика) 4 толщиной 0,9-1,4 мкм, характеризующего следующим элементарным составом; %: Оз 23,5, РЬО 65,5, ВааОз 8,5, АЬОз 2,5. Перед проведением процесса избирательного травления защитного слоя стекла с целью вскрытия контактного окна на поверхности образца известным методом формируется защитная маска фоторезиста 5. Избирательное травление слоя стекла осуческой ванне 6, в которой катодом служит образец 7, а анодом - платиновая сетка 8, причем расстояние между катодом и анодом составляет 50 мм. Травитель для стекла представляет собой раствор состава: HF : HNOa : :Н2О 1:3:12 объемных частей (кислоты концентрированные).

Перед погружением образца в ванну на электроды ее от внешнего источника постоянного тока подается напряжение, равное 6 в. Время травления слоя стекла указанного состава и толщины составляет 2-3 мин. Контакт травящего раствора с поверхностью металлического слоя (омического контакта), возникающий в результате стравливания слоя защитного стекла в окне маски фоторезиста, приводит к замыканию электрической цепи. При этом потенциал металла оказывается

сдвинутым в отрицательную сторону до потенщгала разряда на нем ионов водорода.

По окончании процесса травления образец под капряженпем извлекается пз ванны и подвергается тщательной промг шке в деионнзованной воде.

Предмет и з о б р е т е и и я

Способ избирательпого злекгрохимического травлення диэлектрического слоя, нанесенного на металлическую поверхность, в растворе, химически взаимодействующем с поверхностью металла, отличающийся тем, что, с целью электрохимической защиты поверхности металла, нотенцнал металла в травящем растворе смещают в отрицательную область до нотенциала выделения на нем ионов водорода.