СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ДВУОКИСИ МАРГАНЦА НА ДИЭЛЕКТРИК ТОНКОПЛЕНОЧНЬ[Х КОНДЕНСАТОРОВ Советский патент 1971 года по МПК H01G4/10 

Изобретение относится к микроэлектронике, исиользующей изготовление пассивных элементов гибридных интегральных схем, в частности изготовление надежных тонконленочных конденсаторов на основе вентильных металлов.

Известно несколько способов получения тонкопленочных конденсаторов на основе вентильных металлов, в том числе путем электрохимической обработки диэлектрика в растворе хлористого алюминия в метаноле.

Цель изобретения - повышение надежности и стабильности параметров конденсаторов.

Для этого но предлагаемому способу электрохимическую обработку диэлектрика производят в растворе азотнокислого марганца в этиловом спирте с высаживанием окиси марганца в местах пробоя изоляции.

Обработка ведется следующим образом.

В качестве основы берут танталовые пленки толщиной 2000 А, полученные катодным распылением, с подслоем титана с алюминием, нанесенным термическим распылением на силалловую подложку. Рисунок соответствующей конфигурации получают фотолитографическим способом. Затем подложка со слоями Ti-А1-Та помещается в электролитическую ванну. Прпвое анодирование проводится в

0,03/о-ном водном растворе винной кислоты с рН 5--6. Далее пленка окисла проходит цикл термообработки при температуре 200±10°С в течение 5 час и обрабатывается в 0,1%-ном растворе Мп(ХОз)2 в этиловом спирте при катодном включении в течение 1 -10 мин при напряжении, равном i/o напряжения формовки диэлектрика. Время травления выбирается в соответствнн с толщшюй и качеством диэлектрика.

Повторное анодирование проводится при анодном включении в водном растворе винной кислоты, после чего наносится второй электрод. Такая электрохимическая обработка диэлектрика позволяет высадить двуокись марганца в местах дефектов и микроканалов, при этом не создается сплошного слоя МпОг между диэлектриком и вторым электродом конденсатора, так как суммарная площадь отверстий в изоляции во много раз меньше рабочей площади диэлектрика, т. е. диэлектрик, полученный на основе пленки вентильных металлов, не изменяет своих основных электро-физико-химических свойств, но повышается надежность и стабильность его параметров.

Предмет изобретения 3 па основе вентильных мета.члов методом электрохимической обработки диэлектрика в водном растворе азотнокислого марганца, отличающийся тем, что, с целью повышения на4дежности и стабильности нараметров конденсаторов, электрохимическую обработку упомянутого диэлектрика производят в спиртовом растворе азотнокислого марганца.