Изобретение относится к технике управления колебаниями СВЧ и может служить для осуществления амплитудной модуляции поглощением в тракте.
Известные аттенюаторы на р-1-«.-диодах с сосредоточенными параметрами, а также и аттенюаторы на отрезках линий, будучи использованы для амплитудной модуляции поглощением, дают весьма нелинейные модуляционные характеристики.
Описываемый аттенюатор отличается от известных тем, что параллельно р-г-л-диодам последовательного плеча Т-образного четырехполюсника включен постоянный резистор, сопротивление которого равно волновому сопротивлению четырехполюсника, причем опорные напряжения /7-1- г-диодов обоих плеч подобраны соответствующим образом.
Указанное отличие обеспечивает получение линейной модуляционной характеристики.
На чертеже показана схема предлагаемого аттенюатора (в Т-образном варианте).
Диоды 1 и резисторы 2 образуют последовательные ветви четырехполюсника, диоды 3- параллельную ветвь. Линейность модуляционной характеристики при хорощем согласовании достигается здесь тем, что требуемые для этого зависимости проводимостей ветвей от модулирующего фактора составляют путем суммирования с соответствующими коэффициентами нескольких, смещенных друг относительно друга, характеристик p-i-n-диодов.
Ветви четырехполюсника содержат по п
р-г-ге-диодов, включенных в цепь тока СВЧ
параллельно (разделительные конденсаторы 4
представляют короткое замыкание для токов
СВЧ). Практически достаточно чтобы п 4-6.
Учитывая, что минимальное значение проводимости последовательных ветвей 2 Gimin
- (W-характеристическое сопротивление
четырехполюсника), параллельно диодам в этих ветвях включены резисторы 2 с сопротивлением R W. Каждый p-i-n-диод получает от источника 5 опорных напряжений индивидуальное смещение. Переменные резисторы 6 служат для установки требуемого наклона характеристик Gi f(m) каждого диода. ПраВИЛЬНО установив индивидуальные смещения диодов и наклоны их характеристик, можно добиться хорошей аппроксимации требуемой функции Оветш1 /(п1), а следовательно, лииейности модуляционной характеристики и согласования с трактом.
даваемые на последовательные и параллельные ветви должны быть противофазны друг другу; поэтому модулятор 7 должен иметь два противофазных выхода с общей точкой.
Цепочки, состоящие из резисторов 6 и p-i-nдиодов, включаясь при разных модулирующих напряжениях, образуют переменную (нелинейную) нагрузку модулятора. Для стабилизации нагрузки параллельно выходам модулятора подключены низкоомные резисторы 8 п 9. При достаточно малых их величинах можно считать, что напряжения иа них пропорциональны э.д.с. модулятора. Токи же, протекающие через ветви СВЧ четырехполюсника, связаны с наирял ениями на резисторах 8 и 9 нелинейно, что и дает возможность линеаризовать модуляционную характеристику.
Схема сохраняет описанные выше свойства в диапазоне частот, где шунтирующим действием собственных емкостей диодов можно пренебречь. Расширение верхней границы рабочего диапазона частот возможно путем компенсации этих емкостей известными методами.
Предмет изобретения
Управляемый аттенюатор, состоящий из Т-образного четырехполюсника с параллельно включенными /7-1-л-диодами в последовательном и параллельном плечах, цепи питания диодов постоянным током и цепи модулирующего напряжения, поданного в противофазе на последовательное и параллельное плечи
четырехполюсника, отличающийся тем, что, с целью получения линейной модуляционной характеристики, параллельно упомянутым /7-г-п-диодам последовательного плеча включен постоянный резистор, сопротивление которого равно волново.му сопротивлению четырехполюсника, причем опорные напряжения p-i-nдиодов обоих плеч подобраны так, что последовательная и параллельная проводимости ветвей четырехполюсника соответственно
равны
2G,.i± и G (l-)() 1 - т4(1 +т)
где т - коэффициент модуляции.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ МОДУЛЯЦИИ АМПЛИТУДЫ И ФАЗЫ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ СИГНАЛОВ И УСТРОЙСТВО ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2018 |
|
RU2694429C2 |
СПОСОБ АМПЛИТУДНО-ФАЗОВОЙ МОДУЛЯЦИИ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО СИГНАЛА И УСТРОЙСТВО ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2011 |
|
RU2488957C2 |
СПОСОБ АМПЛИТУДНО-ФАЗОВОЙ МОДУЛЯЦИИ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО СИГНАЛА И УСТРОЙСТВО ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2014 |
|
RU2568931C1 |
СПОСОБ МОДУЛЯЦИИ АМПЛИТУДЫ И ФАЗЫ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ СИГНАЛОВ И УСТРОЙСТВО ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2017 |
|
RU2663554C1 |
СПОСОБ АМПЛИТУДНО-ФАЗОВОЙ МОДУЛЯЦИИ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО СИГНАЛА И УСТРОЙСТВО ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2011 |
|
RU2494529C2 |
СПОСОБ МОДУЛЯЦИИ АМПЛИТУДЫ И ФАЗЫ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ СИГНАЛОВ И УСТРОЙСТВО ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2017 |
|
RU2665903C1 |
СПОСОБ МОДУЛЯЦИИ АМПЛИТУДЫ И ФАЗЫ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ СИГНАЛОВ И УСТРОЙСТВО ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2017 |
|
RU2663558C1 |
СПОСОБ АМПЛИТУДНО-ФАЗОВОЙ МОДУЛЯЦИИ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО СИГНАЛА И УСТРОЙСТВО ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2011 |
|
RU2496223C2 |
СПОСОБ МОДУЛЯЦИИ АМПЛИТУДЫ И ФАЗЫ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ СИГНАЛОВ И УСТРОЙСТВО ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2018 |
|
RU2694784C2 |
СПОСОБ АМПЛИТУДНО-ФАЗОВОЙ МОДУЛЯЦИИ ВЫСОКОЧАСТОТНОГО СИГНАЛА И УСТРОЙСТВО ЕГО РЕАЛИЗАЦИИ | 2014 |
|
RU2589304C1 |
Даты
1971-01-01—Публикация