СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ХРУПКОСТИ МОНОКРИСТАЛЛОВ Советский патент 1971 года по МПК G01N3/34 

Описание патента на изобретение SU299776A1

Изобретение относится к исследованию и технической классификации монокристаллов различных веществ по хрупкости. Известен способ оценки хрупкости монокристаллов путем нагружения образца, при этом в качестве условной характеристики хрупкости материала принимают начальное напряжение разрушения при изгибе образца, расположенного на двух опорах. В изобретении с целью приближения уелоВИЙ испытания к эксплуатационным по грани образца прикладывают ударную нагрузку определенной силы, измеряют длину трещин фигуры удара и сопоставляют с длинами одноименных треицш фигур удара на одноименных гранях эталонных образцов, определяют среднюю хрупкость кристалла как среднее арифметическое длины лучей разных кристаллографических символов фигур удара в различных точках грани исследуемого образца. Кроме того, для получения характеристики анизотропии хрупкости монокристалла, определяют отношение средних длин трещин разноименных кристаллографических символов в фигурах удара. Сущность предлагаемого способа заключается в том, что по грани исследуемого кристалла, представляющего собой пластину толщиной 0,045-0,050 мм, ударяют медицинской иглой Франка со стилетом, переточенным на коНус С углом 10° и притупленном до диаметра 0,2 мм. Игла Франка жестко закрепляется в штативе, снабженным столиком с упругой подложкой из корковой пробки, в которой против острия иглы прорезано цилиндрическое отверстие диаметром 5 мм. Разбег иглы постоянный и регулируется таким образом, что заглубление ее острия в пластины слюды должно составлять 0,5 мм. Точки нанесения ударов располагаются на пластинах слюды в шахматном норядке по сетке ШХЮ мм и более редкой с таким расчетом, чтобы концы лучей смежных фигур удара отстояли достаточно далеко один от другого. Пластины должны подаваться под удар иглой в строго единообразной кристаллографической ориентировке при плотном прилегании их к упругой .подложке. Согласно предлагаемому способу, хрупкость кристалла, например слюды, в точке и прилегающей к ней области оценивается абсолютными величинами (например в мм) длины главного луча фигуры удара, например, для мусковита, луча 100 и лучей 40

ВИИ испытания, на одноименных гранях эталонных образцов.

Среднюю хрупкость кристалла оценивают, определяя среднюю арифметическую длину лучей разных кристаллографических символов, промеренных в большой серии фигур удара на грани этого кристалла. Кроме того, для получения характеристики анизотропии хрупкости монокристалла, определяют отношение средних длин трещин разноименных кристаллографических символов в фигурах удара.

Предмет изобретения

1. Способ определения хрупкости монокристаллов, например слюды, путем нагрул ения образца, отличающийся тем, что, с целью приближепия условий испытания к эксплуатационным, по грани образца прикладывают ударную нагрузку определенной силы, измеряют длину трешин фигуры удара и сопоставляют с длинами одноименных треш.ин фигур удара на одноименных гранях эталонных образцов, определяют среднюю хрупкость кристалла ка;к среднее арифметическое длины лучей разных кристаллографических символов фигур удара в различных точках грани исследуемого образца.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, -с целью получения характеристики анизотропии хрупкости монокристалла, определяют отношение средних длин трещчн разноименных кристаллографических символов в фигурах удара.

Похожие патенты SU299776A1

название год авторы номер документа
Термоэлектрический приемник тепловогоизлучЕНия 1979
  • Ащеулов Анатолий Анатольевич
  • Глемба Николай Николаевич
  • Пилат Израиль Моисеевич
  • Плашенков Рудольф Иванович
SU838428A1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МОДУЛЯ УПРУГОСТИ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ 2004
  • Бадамшин Ильдар Хайдарович
RU2277703C2
Способ изготовления фокусирующих диспергирующих элементов из монокристаллов гидрофталатов 1989
  • Беликова Галина Сергеевна
  • Перстнев Петр Петрович
  • Писаревский Юрий Владимирович
  • Регель Вадим Робертович
  • Сизова Наталья Леонидовна
  • Сильвестрова Ираида Михайловна
  • Турская Татьяна Николаевна
SU1636860A1
Держатель образца для СКВИД-магнитометра типа MPMS для исследования анизотропных свойств орторомбических монокристаллов 2017
  • Великанов Дмитрий Анатольевич
RU2664421C1
ТЕРМОСТИМУЛИРОВАННЫЙ СПОСОБ ДИАГНОСТИКИ АНИЗОТРОПИИ ОПТИЧЕСКИХ ОСЕЙ КРИСТАЛЛОВ 2014
  • Тимохин Виктор Михайлович
RU2566389C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СТРУКТУРЫ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ТЕЛ 1939
  • Вадило П.С.
SU58253A1
Способ модуляции лазерного излучения и устройство для его осуществления 2019
  • Молчанов Владимир Яковлевич
  • Юшков Константин Борисович
  • Науменко Наталья Федоровна
  • Чижиков Александр Ильич
  • Гуров Василий Викторович
  • Захаров Никита Геннадьевич
  • Павлюк Анатолий Алексеевич
RU2699947C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОТНОСИТЕЛЬНОГО ИЗМЕНЕНИЯ МЕЖПЛОСКОСТНЫХ РАССТОЯНИЙ СОВЕРШЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ 2009
  • Федоров Валерий Васильевич
  • Кузнецов Игорь Алексеевич
  • Лапин Евгений Георгиевич
  • Семенихин Сергей Юрьевич
  • Воронин Владимир Владимирович
  • Брагинец Юлия Петровна
  • Амосов Кирилл Юрьевич
RU2394228C1
Способ определения ориентировки плоских неоднородностей показателя преломления в прозрачных монокристаллах 1986
  • Кравцов Евгений Дмитриевич
  • Скропышев Алексей Васильевич
  • Соболев Чингис Сергеевич
SU1361476A1
СПОСОБ ИССЛЕДОВАНИЯ ОБРАЗЦА СЦЕМЕНТИРОВАННОЙ ГОРНОЙ ПОРОДЫ 2007
  • Семенов Вячеслав Викторович
RU2335759C1

Реферат патента 1971 года СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ХРУПКОСТИ МОНОКРИСТАЛЛОВ

Формула изобретения SU 299 776 A1

SU 299 776 A1

Даты

1971-01-01Публикация