УСТРОЙСТВО ДЛЯ РАЗДЕЛЕНИЯ И ФОРМИРОВАНИЯИМПУЛЬСОВ Советский патент 1971 года по МПК H03K5/04 

Изобретение относится к области импульсной техники и может быть использовано в ядерной электронике для разделения двух или нескольких наложившихся импульсов с фотоумножителей с последующим их формированием по длительности и амплитуде.

Известны устройства для разделения и формирования импульсов, выходной импульс которых не является стандартным по длительности и амплитуде.

Цель изобретения - разделение наложнвшихся импульсов с пологими фронтами и формирование коротких импульсов, одинаковых по амплитуде и длительности.

Достигается это тем, что дифференцирующая индуктивность через параллельно соедннениые импульсный диод и резистор подключена к общей точке соединения туннельного диода Н базы транзистора, а эмиттер тра}1знстора заземлен через последовательную RC-ценочку.

На чертеже изображена схема предложенного устройства.

Устройство содержит транзистор /, в цени базы которого включен туннельный днол 2 резисторы 5, и импульсный диод 5, д фференцирующую индуктивность 6, делитель напряжения на резисторах 7, 8 н RC-цепочку, составленную из конденсатора 9 и резистора 10, заземляюндую эмиттер транзистора 1.

Устройство работает следующи.м oбpaзo l. В нормальном состоянии транзистор / закрыт. Входной отрицательный импульс дпсрференцируется индукт шностью 6 и через имнульсный диод 5, и резистор 4 поступает на туннельный диод 2. В этот момент нагрузкоГг последнего служит параллельное соеднненне резистора 3, ВХОДНОГО сопротивления и суммарного сопротивления прямого импульсишо диода 5, щунтнрованного резистором , и внутреннего сопротивления источника сигнала. Если не принимать во внимание сопротивление резистора 5 и входное сопротивление транзистора /, то нагрузкой туннельного диода 5 в импульсном режи.ме является прямое импульсное сопротивление диода 5, включенное последовательно с внутренним сонротивлением источника сигнала, кот(пое для переменного тока высокой частоты намного меньше сопротивления инцуктивности 6. В результате от воздейств я входного импульса потенциал на туннельном Д1юде 2 сначала возрастает, поскольку нагрузка становнтся больше модуля отрнцательного сопротивления туннельного диода 2, и, достигнув впадины вольтамперной характеристики последнего, скачком стремится к нулю.

Транзистор / открывается, и формируется

HOC сопротивление транзистора со стороны эмиттера и резистор 10. Когда потенциал на емкости понижается до определенного значения, транзистор закрывается иезависимо от действия входного импульса на базе транзистора, и формирование выходного импульса заканчивается.

Предмет изобретения

Устройство для разделения и формирования импульсов, содерлчащее дифференцирующую индуктивность, импульсный диод и транзистор, отличающееся тем, что, с целью разделения наложившихся импульсов с нологимн фронтами и формирования коротких импульсов, одииаковых ио амплитуде и длительности, дифференцируюш,ая индуктивность через параллельно соединенные импульсный диод и резистор подключена к точке соединения туннельного диода и базы транзистора, причем эмиттер транзистора заземлен через последовательную RC-ueno4Kv.