Изобретение относится к способам измерения физических параметров полупроводниковых приборов.
Известные способы измерения эффективного времени жизни : неосновных носителей заряда в базе полупроводникового диода основаны или на переключении диода прямоугольным импульсом из проводящего состояния в непроводящее или на наложении малого переменного сигнала и измерении импеданса.
Основные недостатки этих способов заключаются р том, что они применимы при ограниченном диапазоне значений т; на результаты измерений влияют собственная емкость диода и диододержателя.
Кроме того, посредством этих способов определяют значение эффективного времени жизни для одного фиксированного значения уровня инжекции, в то время как во jMiiornx случаях целесообразно получать среднее значение т при различных уровнях инжекции.
Цель изобретения заключается в повышении точности измерения за счет исключения влияния собственной емкости и обратного сопротивления измеряемого р-п-перехода.
Для этого, согласно предложенному способу, определяют частоту, при которой извлеченный заряд имеет максимальное значение. Испытуемый диод устанавливают в схему однофазного однополупериодного выпрямления с
активной нагрузкой. Питание схемы осуществляется от источника с изменяющейся частотой выходного напряжепия. При различных значениях частоты определяется величина заряда диода при его переключении с прямого направления на обратное. По полученным значениям заряда находят частоту, при которой извлеченный заряд имеет максимальную величину. По найденной частоте определяют эффективное время жизни неосновных носителей заряда как величину, обратную угловой частоте.
Предмет изобретения
15
Способ измерения эффективного времени жизни неосновных носителей заряда в р-ппереходе полупроводникового прибора по величине извлеченного заряда, отличающийся тем, что, с целью повыщения точности измерения за счет исключения влияния собственной емкости и обратного сопротивления измеряемого р-д-перехода, на переход подают ток синусоидальной формы, частоту которого последовательно изменяют до достижения извлеченным зарядом своего максимального значения, и далее по полученному значенпю частоты определяют эффективное время жпзни неосновных носителей заряда как величину,
