Изобретение относится к области пленочной микроэлектронной техники, в частности, к области контроля и измерения толщины тонких металлических нлеиок, нанесенных на полупроводииковые или диэлектрические структуры.
Известен высокочастотный электромагнитный способ контроля, когда поле создается электроиндуктивным датчиком. Недостатком этого способа измерения является значительная погрешность измерения как толш,ины пленок, нанесенных на полупроводниковые структуры с диффузионными слоями, так и средней толщины пленки, нанесенной на больших площадях пленок.
Цель изобретения - создание бесконтактного способа измерения средней толщины тонких металлических пленок, нанесенных на больших площадях или полупроводниковых структурах и устранение влияния диффузионкого слоя на результаты измерения и возникновения гальванических токов.
Для до.стижения цели используют токи высокой частоты, которые создаются нолем электродов емкостного датчика. Поскольку поле обеспечивает возникновение поверхностных высокочастотных токов, то имеется возможность подавления влияния диффузионного слоя и устранения причин возникновения гальванических токов. При этом можно осуществлять измерение средней толщины между достаточно удаленными точками.
Изобретение поясняется чертежом, на котором представлена схема измерения, где /- высокочастотный генератор, 2 - измерительиьш элемент, 3 - измерительный блок, 4 - металлическая пленка, 5 - основа пленки, 6, 7 - электроды измерительного элемента.
Высокочастотный генератор / возбуждает при помощи измерительного элемента 2, имеющего емкостную связь с контролируемым объектом, высокочастотный ток в контролируемом покрытии 4. Пластину 5 с покрытием 4 кладут на один из электродов 6 измерительного элемента 2, при этом между электродом 7 и покрытием имеется емкостная связь. С помощью стрелочного прибора, находящегося в измерительном блоке 5 измеряют выходное напряжение, характеризующее изменение полного сопротивления (импеданса) измерительного элемента от толщины покрытия.
Предмет изобретения
Высокочастотный электромагнитный способ измерения толщины металлических пленок на неметаллах, отличающийся тем, что, с целью измерения толщины металлических покрытий на полупроводниковых пластинах, устранения влияния диффузионного слоя и возникновения
гальванических токов, возбуждают высокочастотный ток в тонком поверхностном слое нри 1 омоид,и электродов с емкостной связью, определяют напряжение на измерительном элементе, характеризующее измспение импеданса измерительного элемента от толщины покрытия, и по величине импеданса измеряют толщину покрытия.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ УЛЬТРАЗВУКОВОГО РАСПЫЛЕНИЯ | 2011 |
|
RU2465965C1 |
ЕМКОСТНАЯ ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА С ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНЫМИ ПАРАМИ | 2010 |
|
RU2559993C2 |
ЕМКОСТНАЯ ИЗМЕРИТЕЛЬНАЯ СИСТЕМА | 2010 |
|
RU2573447C2 |
ИНТЕГРАЛЬНАЯ СИСТЕМА ДАТЧИКОВ | 2010 |
|
RU2532575C2 |
ЯЧЕЙКА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ТОНКИХ ПЛЕНОК СЛОЖНЫХ ОКСИДОВ | 2005 |
|
RU2282203C1 |
ИЗМЕРИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО | 1994 |
|
RU2082079C1 |
ЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА, СОДЕРЖАЩИЕ ПРОЗРАЧНЫЕ ПРОВОДЯЩИЕ ПОКРЫТИЯ, СОДЕРЖАЩИЕ УГЛЕРОДНЫЕ НАНОТРУБКИ И КОМПОЗИТЫ ИЗ НАНОПРОВОДОВ, И СПОСОБЫ ИХ ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2011 |
|
RU2560031C2 |
ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ЕМКОСТИ ДЛЯ ЕМКОСТНОГО ДАТЧИКА | 2019 |
|
RU2724299C1 |
ИЗМЕРИТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО | 1997 |
|
RU2133448C1 |
ПРОЗРАЧНЫЕ ПРОВОДЯЩИЕ ПОКРЫТИЯ БОЛЬШОЙ ПЛОЩАДИ, ВКЛЮЧАЮЩЕЕ ДОПИРОВАННЫЕ УГЛЕРОДНЫЕ НАНОТРУБКИ И НАНОПРОВОЛОЧНЫЕ КОМПОЗИТНЫЕ МАТЕРИАЛЫ, И СПОСОБЫ ИХ ПОЛУЧЕНИЯ | 2011 |
|
RU2578664C2 |
Даты
1971-01-01—Публикация