ИЗМЕРИТЕЛЬ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СЛОЕВ Советский патент 1971 года по МПК H01L21/66 

Изобретение относится к измерительным устройствам для бесконтактного измерения электрофизических свойств слоев полупроводниковых структур или однородных полупроводниковых материалов без разрушения образца и может быть использовано на предприятиях радиоэлектронной нромышленности.

Известны СВЧ-устройства для измерения электрофизических свойств полупроводников, в которых образец помешается в волновод, и по параметрам стоячей волны определяются свойства образца.

Недостатком таких устройств являются влияние на точность измерений небольших изменений зазоров между образцом и стенками волновода, возникновение контактных явлений при соприкосновении образца со стенкой волновода, а также низкая чувствительность при измерениях соответствующих свойств слоев.

Цель изобретения - уменьшение влияния небольших изменений зазоров, исключение контакта образцов с металлическими частями волновода и повышение чувствительности измерений с регулировкой ее в больших пределах.

Для достижения цели в конце волноводного тракта крепится механизм для перемещения исследуемого образца, который нозволяет создать зазор постоянной величины между полупроводниковым образцом и волноводным щелевым излучателем (концом волновода). Наличие диэлектрических стерженьков позволяет исключить омический контакт образца с механическими частями волновода. Образец может иметь любую форму, а в результате выбора определенного зазора между образцом и волноводом создается возможность увеличения чувствительности измерений на несколько порядков, что объясняется трансформацией

точки вносимого имнеданса в удобную для измерения область.

Сущность изобретения поясняется чертежом, на котором приведена схема описываемого устройства, содержащего СВЧ-генератор

/, индикаторный блок 2, волноводный щелевой излучатель 3, к которому крепится механизм 4 для перемещения образца 5 и создания определенного зазора Ь, между образцом 5 и щелевым излучателем 3. Для измерений

исследуемый образец накладывается на диэлектрические стерженьки 6 механизма 4 для неремещения образца.

Путем поворота гайки механизма 4 для перемещения образца достигается определенная

ширина зазора b между образцом и волноводным щелевым излучателем.

Выбор ширины зазора b рассчитывается теоретически или подбирается экспериментально для каждого случая для нахоладения

параметры стоячей волны в волноводе и, -соответственно, свойства образца.

Данное устройство может быть использовано для особо точных измерений электрофизических свойств слоев полунроводниковых структур или однородных полупроводниковых материалов.

Предмет изобретения

Измеритель электрофизических свойств полупроводниковых Слоев, содержащий СВЧ-генератор, индикаторный блок, волноводный щелевой излучатель, отличающийся тем, что, с целью значительного повышения чувствительности измерений, исключения контакта образцов с металлическими частями волновода а также уменьшения влияний небольших изменений зазоров на результаты измерения, в конце волноводного тракта закреплен механизм перемещения образцов для установления постоянного зазора между образцом и волноводным щелевым излучателем.