СПОСОБ МОДУЛЯЦИИ ЛИНЕЙНОПОЛЯРИЗОВАННОГОСВЕТА Советский патент 1971 года по МПК H01S3/10 

Изобретение относится к способам модуляции излучения оптических Кваптовых генераторов.

Известны способы модуляции, при которых между двумя поляризаторами располагают электрооптический кристалл. Электрическое лоле и пучок света направляют параллельно главной кристаллографической оси кристалла. Сдвиг фазы осуществляется за счет создания искусственной анизотропии в направлении оси Z при наложении модулирующего электрического поля.

Главными недостатками известных способов модуляции являются значительные потери света, использование источников энергии большой мощности и ограниченное быстродействие.

Предлагаемый способ модуляции позволяет устранить эти недостатки за счет исключения совпадения направления распространения модулируемого светового потока с направлением модулирующего электрического поля. С этой целью световой поток, вектор напряженности электрического поля которого лежит в плоскости падения, направляют из изотропной прозрачной среды на поверхность ПО одноосного электроонтического кристалла, оптическая ось которого перпендикулярна плоскости падения, под углом, большим угла полного внутреннего отражения. Модулирующее

электрическое поле прикладывают в направлении оптической оси кристалла с помощью, например, нитевидных электродов, которые расположены перпендикулярно оптической оси кристалла с обеих сторон по границе раздела сред. При этом периодически с частотой моду.тирующего поля изменяется граничный угол полного внутреннего отражения, в результате чего световой поток может либо претерпеть полное внутреное отражение, либо преломиться кристаллом, т. е. оказывается разделенным в пространстве и во времени.

Настоящий способ отличается от известных способов модуляции тем, что направления распространения модулируемого светового потока и модулирующего электрического поля различны и составляют угол 90°. Это позволяет повысить быстродействие до величины, близкой к теоретической и определяемой материалом электрооптического кристалла, например, для кристалла КДП эта величина составляет 10 Ггц. Энергия, рассеиваемая модулятором, при описанном способе также быть сведена к минимуму, как и потери излучения в материале модулятора. ,3 ческом эффекте в одноосных кристаллах, отличающийся тем, что, с целью повышения частоты модуляции, световой поток, вектор напряженности электрического поля .которого в плоскости падения, направляют из5 изотропной среды на поверхность ПО одноосного электрооптического кристалла, опти4ческая ось которого перпендикулярна плос.кости падения, под углом, например, большим угла полного внутреннего отражения, и прикладывают модулирующее электрическое поле в направлении оптической оси кристалла, перпендикулярно направлению распространения модулируемого излучения.