Изобретение относится к полупроводниковой технологии, а именно к технологическому процессу фотолитографии.
В процессе фотолитографии одна из важнейших операций - совмещегше рисунка фотошаблона с рисунком, перенесенным ранее с другого фотошаблона на пластину полупроводникового материала (например кремния). В некоторых случаях необходимо получить совмещенные рисунки, находящиеся на противоположных сторонах пластины полупроводника.
Известны способы совмещения рисунка фотошаблона с рисунком, нанесенным на пластину полупроводника, основанные ш применении системы зеркал или использовании вспомогатё льной фотолитографии.
Недостатками таких способов являются громоздкость оптических систем и сложность их юстировки, а также необходимость в проведении дополнительной фотолитографии.
Цель изобретения - разработка способа совмещения, позволяющего получать совмещенные рисунки, находящиеся на противоположных поверхностях пластины полупроводника. Досгигается она ткм, что фотошаблон освещают проходяцдам через пластину полупроводника инфракрасным излучением и фиксируют рисунки на экра} е преобразователя ршфракрасного излучения в видимое.
Совмещение осуществляют следующим образом.
Пластину с рисунком, нанесенным на одну сторону, и фоторезистом, нанесенным на другую сторону, располагают на столике стандартной кассеты для совмещения рисунком книзу и освещают снизу лампой с вольфрамовой нитью накала. Сверху накладьшают фотошаблон. Столик с пластиной подводят к шаблону, но между пластиной и щаблоном оставляют зазор, позволяющий перемещать шаблон вдоль пластины. Изображения рисунков фокусируют на экране преобразователя с помощью микроскопа МБС-2. Шаблон перемещают вдоль пластины до тех пор, пока изображения рисунков пластины и фотошаблона на экране преобразователя не совместятся. Затем пластину сближают с щаблоном до joiopa и жестко закрепляют в этом положении. После этого производят обычные операции задубливания и прояв.рения фоторезиста. Данный способ позволяет совмещать фотошаблон с рисунком структуры р-п-перехода, создаваемого мелкой диффузией, а также с лункой глубокого травления специальных р-i-n фотодиодов. Он может быть применен при технологических операциях совмещения, производимых на пластинах кремния, арсенида галлия и других полупроводниковых материал край поглощения которых совпадает с область чувствительности существующих преобразова5 4телей или находится в более коротковолновой области спектра. Формула изобретения Способ совмещения рисунка фотошаблона с рисунком, нанесенным на пластину полупроводника, при освещении фотощаблона, отличающийся тем, что, с целью двустороннего совмещения, освещение производят инфракрасным излучением через пластину полупроводника с последующим фиксированием рисунков на экране преобразователя инфракрасного излучения в видимое.
