СПОСОБ СОВМЕЩЕНИЯ РИСУНКА ФОТОШАБЛОНА С РИСУНКОМ НОЛУНРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЫ Советский патент 1969 года по МПК H05K3/02 

Известны способы совмещения рисунка фотошаблона с рисунком полупроводниковой пластины при изготовлении интегральных микросхем, основанные на .совмещении штриховых знаков.

Цель изобретения - повысить точность совмещения на всех стадиях изготовления интегральных схем.

Достигается это тем, что в толще полупроводниковой пластины получают штриховой знак, Который в прямом отраженном свете имеет ВИД темного штриха более широкого, чем штриховой знак фотошаблона, а совмещают указанные штрихи щи помощи биссектора.

На чертеже показана .последовательность операций при осуществлении описываемого способа.

Штриховой знак / фотошаблона 2 экспонируют на полупроводниковую пластину 3, покрытую слоем 4 фоторезиста и слоем 5 двуокиси кремния. Затем вытравливают окно 6 (фиг. 2) в слое 5 и проводят глубинное травление в материале полупроводниковой пластины 3, получая глубинный штриховой знак 7 (фиг. 3), ширина которого превышает ширину штрихового знака фотошаблона в два-четыре раза и имеет в сечении полуцилиндрическую форму. При освещени-и знака 7 коллимированньш световым пучком в прямом отраженном

свете такой глубинный знак дает изображение в виде контрастного темного штриха 8 (фиг. 4) с узкой светлой полоской 9 в середине его, обусловленной зеркальным отражением светового потока от дна «анавки глубинного знака 7 н попадающего во входной зрачок микроскопа.

Изображение этого знака имеет контрастные темные края, обусловленные косым отрал :ением световых лучей, не попадающих во входной зрачок объектива микроскопа.

При наложении фотошаблона 2 на полупроводниковую пластину 3 в прямом отраженном свете образуется совместное изобрал ение глубинного штрихового знака на полупроводниковой пластине 3 и штрихового знака на фотошаблоне 10.

Подобная система знаков приводит к образованию структуры биссектора, позволяющего совмещать оси указанных знаков как визуальным способом с применением микроскопа - путем симметричного выравнивания зазоров между контурами штриховых знаков, так п объективным фотоэлектрическим способом - Путем анализа соотношения световых потоков от участков, ограниченных контурами штриховых знаков фотошаблона и полупроводниковой пластины В совместном изображении указанных знаков.