ДИОДНО-ТРАНЗИСТОРНАЯ СХЕМА Советский патент 1971 года по МПК H03K17/60 

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве логического элемента в устройствах, предназначенных для обработки импульсных сигналов.

Известны диодно-транзисторные схемы включения, которые допускают с диодом Зенера высокие значения напряжений помех. Однако максимальная величина последнихдостигает только половины рабочего напряжения.

Кроме того, известны схемы включения с зависимыми от направления характеристиками передачи, которые имеют очень высокую чувствительность к помехам, но они предназначены для иных целей. Таким схемы имеют либо низкое значение напряжения помех по сравнению с напряжением питания, либо ограниченные допустимые отклонения параметров применяемых элементов.

Цель изобретения - повысить помехоустойчивость схемы и снизить требования к допускам используемых элементов. Это достигается тем, что к выходу схемы подключена база транзистора инвертора, коллектор которого соединен с базой дополнительного транзистора, коллектор дополнительного транзистора подключен к точке соединения диодной схемы «И и стабилитрона, а эмиттер - к эмиттеру эмиттерного повторителя.

На чертеже приведена принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства.

Входы 1, 2 и 3 через схему «И на диодах 4, 5 i 6 связаны с узловой точкой 7, которая через резистор 8 соединена с зажлмом 9 питания и через стабилитрон 10 - с базой транзистора // эмиттерного повторителя. Коллектор транзистора 11 подключен к зажиму 9,

а эмиттер включен на диод }2, смещенный в прямом направлении, катод которого соединен с базой транзистора 13 усилителя. Участок база-эмиттер транзистора 13 шунтирован резистором 14, а коллектор подключен к зажиму 9 через резистор 15 нагрузки.

Выходное напрялсение снимается с зажимов 16 и 17, а входное подается на вход 3 и зажим 18. Выходной зажим 16 связан через резистор 19 с базой транзистора 20, участок

база-эмиттер которого шунтирован резистором 21, а коллектор соединен с зажимом 9 через резистор 22 нагрузки и с базой дополнительного транзистора 23. Коллектор последнего подключен к точке соединения диодной

схемы «И и стабилитрона 10, а его эмиттер - к аноду диода /2 и к эмиттеру транзистора 11.

билитроне 10 и эмиттерном переходе транзистора 11, то ток, усиленный последним, подводится к базе транзистора 13 и приводит его к насыщению. Вследствие этого запирается транзистор 20 и насыщается дополнительный транзистор 23. Ток протекает через резистор 8 без усиления непосредственно к базе транзистора 13. Теперь напряжением смещения служит не падение напряжения на стабилитроне 10, а остаточное напряжение транзистора 23. Чтобы изменить состояние на выходе - зажимах 16 и 17, входное напряжение, например, на входе 3 и зажиме 18 должно быть приблизительно меньше, чем пропускаемое напряжение диода. Тогда ток протекает от резистора 8 через входной диод 6. Транзистор 13 запирается, а транзистор 20 отпирается через резистор 19 и тем самым запирается дополнительный транзистор 23.

Предмет изобретения

Диодно-транзисторная схема, содержащая диодную схему «И, подключенную через стабилитрон к базе эмиттерного повторителя, в эмиттерной цели которого включен диод в прямом направлении и сопротивление, к точке соединения диода и сопротивления подключена база выходного усилителя, отличающаяся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости схемы и снижения требований к допускам используемых элементов, к выходу схемы подключена база транзистора инвертора, коллектор которого соединен с базой дополнительного транзистора, коллектор дополнительного транзистора подключен к точке соединения диодной схемы «И и стабилитрона, а эмиттер - к эмиттеру эмиттерного повторителя.