Способ изготовления фотосопротивлений Советский патент 1933 года по МПК H01L31/08 

Описание патента на изобретение SU32067A1

Ранее было установлено, что кристаллы некоторых полупроводников обладают особыми фотоактивными слоями, пронизывающими их или находящимися на поверхности их граней. При дальнейших наблюдениях было выяснено, и это является сущностью изобретения, что мелкий порощок полупроводников, обладающих фотоактивными слоями, может приобрести свойства фотосопротивления, т.-е. может изменять свое сопротивление под действием света, если его нанести тонким слоем в смеси со связующим веществом (напр., с целлюлоидным или цапоновым лаком) на поверхность какой-либо изолирующей подложки. Такой подложкой может служить, например, фарфоровая трубка, у концов которой помещены металлические электроды. Необходимость применения именно смеси со связующим веществом доказывается тем, что порошок, нанесенный на поверхость той же самой изолирующей подложки без связующего вещества (например, натиранием поверхности порошком), совершенно не дает эффекта фотосопротивления, хотя сопротивление и в этом случае легко может быть изготовлено той же самой величиньт, как сопротивление,в темноте слоя порошка, нанесенного в смеси со связующим веществом. Редактор А. М. Сабуренков 333Тип. «И Оказалось также, что чувствительность фотосопротивления можно увеличить, если во время его изготовления сушку смеси связующего вещества с порошком полупроводника производить в электрическом поле. Электрическое поле при этом может создаваться путем приложения определенной разности потенциалов к электродам изготовляемого фотосопротивления. Напряженность поля берется порядка 100 вольт на сантиметр. Фотосопротивления по способу, согласно изобретению, можно изготовлять из кристаллов свинцового блеска (галенита PbS) кристаллов кремния (Si). Сопротивление в- темноте изготовленных фотосопротивлений можно иметь от 200.000 омов до нескольких мегомов. Предмет изобретения. 1.Способ изготовления фотосопротивлений из фотоактивных полупроводников, отличающийся тем, что кристаллический порошок полупроводников, например галенита, кремния и т. п., смешанный со связующим веществом, например цапоновым лаком, наносят на поверхность изолирующей подложки. 2.При способе по п. 1 высушивание фотосопротивления в электрическом поле. кра.

Похожие патенты SU32067A1

название год авторы номер документа
Способ изгоговления фотосопротивлений 1934
  • Лосев О.В.
SU39883A1
Контактный выпрямитель 1931
  • Лепешинской-Кракау В.Н.
  • Лосев О.В.
  • Остроумов Б.А.
SU33231A1
МНОГОЭЛЕМЕНТНОЕ ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО С ДЛИННОВОЛНОВОЙ ГРАНИЦЕЙ ПОГЛОЩЕНИЯ ДО 7 МКМ 2000
  • Двуреченский А.В.
  • Ковчавцев А.П.
  • Курышев Г.Л.
  • Рязанцев И.А.
RU2175794C1
Способ получения фотоэлектрических преобразователей энергии на основе перовскитов 2023
  • Саранин Данила Сергеевич
RU2814810C1
Гибридный фотопреобразователь, модифицированный максенами 2018
  • Позняк Анна Ивановна
  • Саранин Данила Сергеевич
  • Муратов Дмитрий Сергеевич
  • Гостищев Павел Андреевич
  • Диденко Сергей Иванович
  • Кузнецов Денис Валерьевич
  • Ди Карло Альдо
RU2694086C1
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ РАБОТОЙ МЕМРИСТИВНОЙ КОНДЕНСАТОРНОЙ СТРУКТУРЫ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК-ПОЛУПРОВОДНИК 2018
  • Тихов Станислав Викторович
  • Антонов Иван Николаевич
  • Белов Алексей Иванович
  • Горшков Олег Николаевич
  • Михайлов Алексей Николаевич
  • Шенина Мария Евгеньевна
  • Шарапов Александр Николаевич
RU2706197C1
Способ изготовления материала люминесцентного сенсора и устройство люминесцентного сенсора для анализа кислых и основных компонентов в газовой фазе 2017
  • Максимова Елена Юрьевна
  • Алексеенко Антон Владимирович
  • Павлов Александр Валерьевич
  • Павлов Сергей Алексеевич
  • Павлов Алексей Сергеевич
RU2758182C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ХЕМОРЕЗИСТОРА НА ОСНОВЕ НАНОСТРУКТУР ОКСИДА НИКЕЛЯ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ МЕТОДОМ 2018
  • Соломатин Максим Андреевич
  • Сысоев Виктор Владимирович
  • Федоров Федор Сергеевич
RU2682575C1
Электрофотографический носитель записи информации 1981
  • Кулемин Леонид Геннадьевич
  • Тамошюнас Стасис Ионович
SU987567A1
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МЕТАЛЛООКСИДНЫЙ ДАТЧИК ГАЗОВ 2001
  • Рембеза С.И.
  • Свистова Т.В.
  • Горлова Г.В.
  • Рембеза Е.С.
RU2206082C1

Реферат патента 1933 года Способ изготовления фотосопротивлений

Формула изобретения SU 32 067 A1

SU 32 067 A1

Авторы

Лосев О.В.

Даты

1933-09-30Публикация

1933-05-08Подача