Способ изгоговления фотосопротивлений Советский патент 1934 года по МПК H01L31/08 

Авторским свидетельством № 32067 был предусмотрен способ изготовления фотосопротивлений, где применялись кристаллические порошки некоторых полупроводников, нанесенные в смеси с целлюлоидным клеем или цапоновым лаком на поверхность какого-либо диэлектрика. После соответствующей сушки получавшееся фотосопротивление давало эффект изменения сопротивления при освеш,ении. Соответствующее воздействие на сетку первого каскада усилителя низкой частоты могло, например, быть получено при прерывистом освещении (например, с помощью фонического колеса).

Дальнейшее исследование показало, что значительно больший эффект может быть получен при воздействии на усилитель низкой частоты в том случае, если прерывистому освещению подвергаются порошки тех же самых полупроводников, но смешанные с веществами, весьма слабо проводящими, но обладающими электролитической проводимостью, например, с глицерином, пиридином или анилином. Далее выяснилось, что приготовленные таким способом фотосопротивления не дают какого-либо заметного изменения со(306)

противления при освещении, но дают изменение емкости между своими электродами.

Далее исследование показало, что применение жидких электролитов для получения эффекта изменения емкости необязательно; этот эффект получался также и при применении твердых слабо проводящих электролитических веществ. В качестве такого вещества можно было применять, например, жидкое стекло. Смесь порошка полупроводника с жидким стеклом наносится тонким слоем между электродами фотосопротивления на поверхность какого-либо диэлектрика. После определенного, довольно длительного времени сушки смеси порошка полупроводника с жидким стеклом (в частности около 45 дней при температуре 20°), в течение которого жидкое стекло постепенно изменяется и химически, поглощая из воздуха СОа, можно было получать требующуюся небольшую величину удельной проводимости затвердевшего жид- . кого стекла и наблюдать эффект изменения емкости при освещении.

Для изготовления фотосопротивлений, изменяющих емкость при освещении, можно было применять, например, порошки следующих полупроводников: кремния с примесями А1, Си, Fe, прустита, молибденита, аргентита. Сопротивление таких фогосопротивлений можно было иметь в несколько десятков или сотен мегомов. При таких значениях сопротивления величина постоянной слагающей весьма мала, а следовательно, химическое изменение электролитически проводящего вещества весьма незначительно.

Предмет изобретения,

Способ изготовления фотосопротивлений, согласно авторскому свидетельству № 32067, отличающийся тем, что, с целью использования эффекта изменения емкости под действием света, в качестве связующего вещества применены полупроводники, обладающие электролитической проводимостью.