СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ В ПРОЗРАЧНЫХ МАТЕРИАЛАХ Советский патент 1972 года по МПК C01B31/06 

Изобретение относится к технике создания скрытых изображений и их последующего проявления и может быть использовано для длительного хранения информации, не обнаруживаемой при визуальном (даже микроскопическом) рассмотрении, в частности, для маркировки особо ценных алмазов.

Известно несколько способов создания скрытого изображения на различных материалах и его последующего проявления; фотография, магнитная запись, получение изображения с помощью фотоэлектронов и др.

Основным недостатком известных способов является разрушение скрытого изображения под действием каких-либо внешних факторов, таких как химически активные среды, свет, нагрев, электрические и магнитные поля.

Цель изобретения - получение изображения, невидимого в обычном и поляризованном свете и устойчивого к воздействию внешних факторов.

Цель достигается путем бомбардировки прозрачного материала иопами какого-либо элемента с последующим отлсигом в вакууме.

На поверхность монокристалла алмаза накладывают металлическую маску с требуемым изображением, а затем образец подвергают бомбардировке ионами. Толщину маски подбирают так, чтобы ее сплошные участки полностью задерживали ионы, тогда внедрение

последних в образец происходит только через отверстия маски и конфигурация облученных областей оказывается в точном соответствии с требуемым изображением. В результате этой операции на поверхности ранее бесцветного образца возникает изобралсение темно-бурого цвета, а внутри его создаются поля упругих искажений кристаллической решетки, контуры которых в точности совпадают с контурами

требуемого изображения. При термообработке в вакууме видимое изображение исчезает, по внутреннее «упругое изображение полностью сохраняется. Присутствие такого скрытого изображения нельзя установить путем визуального рассмотрения (включая микроскопическое) как в обычном, так и в поляризованном свете. Однако его наличие в кристалле легко устанавливают с помощью известного метода рентгеновской дифракционной топографпи (метод Лэнга).

При осуществлении предложенного способа скрытое изображение создавалось в прозрачпых алмазных пластинках размером 50X50л.и

Н толщиной 300 мкм, вырезанных из естественных алмазных октаэдров. На поверхность такого образца накладывалась металлическая маска толщиной 50 мкм, в которой фотолитографическим путем было вытравлено 3 геометрических фигур), после чего образец подвергался бомбардировке ионами фосфора с энергией 40-50 кэв дозой IQi см. Поскольку помимо внутреннего «упругого изображения появлялось и цветное поверх-5 ностное, пластинки подвергались последующему термическому отжигу, в результате чего цветное изображение пропадало. При облучении ионами фосфора с указанными выше энергией и дозой достаточно было отжигатьЮ образец в течение 30 мин при 80°С. Сформированное по предлагаемому способу изображение термически устойчиво до 1200°С, не разрушается под действием света, электри-15 4 ческих и магнитных полей, кислот, щелочей и любых органических растворителей. ., ,, Предмет изобретения Способ получения изображения в прозрачных материалах, например алмазе, методом облучения через шаблон, отличающийся тем, что, с целью получения изображения, невидимого в обычном и поляризованном свете и устойчивого к воздействию внешних факторов, облучение осуществляют бомбардировкой, например, ионами фосфора с энергией 40- 50 кэв и дозой lOi см с последующей термообработкой в вакууме, например, при температуре 800°С в течение 30 мин.