ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО Советский патент 1972 года по МПК G11C11/42 

Известны оптнко-электронные запоминающие устройства, в которых ионользованы матрицы диодных излучателей, матрицы фотолриемников и носитель информации в виде пластины с отверстиями.

Недостатком таких устройств является необходимость оптического совмещения носителя информации с матрицей источников света, что iBO-первых, усложняет сборку оптико-электронной матрицы, во-вторых, ведет к увеличению потерь световой энергии из-за неизбежных ошибок при совмещении.

Предложенное устройство отличается тем, что в нем носитель информации выполнен в виде прозрачных и непрозрачных участков на фоточувствительном слое, неподвижно нанесенном на световыводящую поверхность матрицы излучателей.

Непрозрачные участки на фоточувствительном слое создаются экспонированием слоя (с последующим проявлением и закреплением) светом диодных излучателей, входящих в матрицу излучателей, на которую нанесен слой. Прозрачные участки образуются в местах, на которые не подействовал свет, после закрепления. Поэтому спект зы излучения диодов и фоточувствительиого слоя должны быть согласованы. Очевидно, что произвольная информация может быть записана только ори

произвольной индивидуальной выборке излучателей в матрице.

Число излучателей в матрице должно быть равно числу хранимых чисел, а число оптикоэлектронных матриц в запоминающем устройстве для хранения разрядных чисел - единица.

На чертеже представлено оптико-электронное запоминающее устройство.

Оно содержит матрицу / диодных излучателей, например, из арсенида галлия. Матрица / выполнена на подложке 2 из полуизолирующего арсенида галия. Р-п переходы диодных излучателей 5 образованы поверхностями пересечения полос 4 арсенида галлия я-типа, легированного теллуром, и полос 5 арсенида галлия р-типа легированного кремнием. Полосы 4 Н 5 служат проводниками электрического тока к р-п переходам, образуют Координатную систему, и таким образом обеспечивают произвольную индивидуальную выборку диодных излучателей при минимальном числе ВНещних электрических вььводов матрицы.

Фоточувствительный слой 6 нанесен на световыводящую поверхность 7 матрицы диодных излучателей. На ее противоположную поверхность 8 нанесен поглощающий слой 9, устраняющий оптические помехи, которые

рируемого диодными излучателями по кристаллу матрицы. Наличие оптических помех в матрице ведет к уменьшению контрастности записи. Фотоприемник - кремниевый фотодиод 10 приклеен к фотослою 6 клеем, прозрачным для излучения диодных ИСТОЧНЕКОВ.

Для залиси, например, «нулей двоичного кода информации, хранимой оптико-электронпой матрицей, через соответствующие диодные излучатели поочередно пропускают прямой ток. Величина тока и время его протекания выбраны достаточными для экспонирования фоточувствительного слоя.

Фотоприемник приклеивают к фоточувствительному слою после проявления и фиксирования полученного изображения.

Считывание одпого разрядного числа в устройстве производится путем пропускания прямого тока считывания через соответствующие диодные излучатели всех оптико-электронных матриц (по одному излучателю в каждой матрице). Свет, генерируемый этими излучателями, проходит через прозрачные участки в фоточувствительном слое, если в данном разряде записана «единица, либо поглощается слоем, если в данном разряде записан «нуль хранимого числа. Прохождение или поглощение света фиксируется фотодиодом в матрице соответствующего разряда.

Таким образом, на выходе всех фотодиодов создается электрическое изображение информации, записанной на фоточувствительном слое.

Предмет изобретения

Оптико-электронное запоминающее устройство, содержащее матрицу излучателей с индивидуальной выборкой, носитель информации, в котором информация представлена в виде прозрачных и непрозрачных участков, и фотоприемник, отличающееся тем, что, с целью уменьшения оптических потерь и упрощения технологии изготовления и обеспечения возможности резервирования излучателей, на световыводящую поверхность матрицы излучателей нанесен фотослой, чувствительный к длине волны излучения.

d.

10