СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КАЧЕСТВА КРИСТАЛЛОВ ПЬЕЗОКВАРЦА Советский патент 1972 года по МПК H03H3/00 

Изобретение относится к компонентам радиоаннаратуры и может быть использовано для контроля качества кристаллов ньезокварца.

Известны способы определения качества кристаллов ньезокварна, основанные на измерении тангенса угла диэлектрических потерь на образцах произвольной ориентации, нреимущественно Z-среза, нроизвольных размеров и формы.

Недостатки известных способов состоят в низкой точности измерений и пло.хой воспроизводимости результатов измерений вследствие влияния на абсолютную величину тангенса угла диэлектрических потерь различных факторов, например величины нагрузки, создаваемой держателем, вида и способа нанесения металлического нокрытия, качества обработки поверхности образца.

С целью повышения точности и надежности онределения качества кристаллов пьезокварца но предлагаемому способу качество, например добротность кристаллов, определяется по величине темшературно-частотной дисперсии диэлектрических нотерь путем измерения темнературы положения релаксационного максимума тангенса угла диэлектрических нотерь.

тангенса угла диэлектрических нотерь от содержания в кристаллах пьезокварца неструктурной фазы, онределяющей его ньезоэлектрическне и радиофизические свойства, в том числе и добротность, причем значение этой температуры Гмакс от технологическнх и других факторов изготовления и обработки образцов не зависит, а определяется лишь количеством неструктурной фазы в кристалле: чем больше неструктурной фазы в крнсталле, тем меньше подвижность ионов-релаксаторов, тем больше время релаксации, тем выше температура положения релаксационно1о максимума Г.ч,,,;,..

Для определения качества кристаллов могут быть попользованы образцы нроизвольных размеров и формы и произвольной ориентации, так как темнературно-частотная дисперсия диэлектрических нотерь, следствием которой является изменение температуры Гмакс с изменением качества кристаллов, имеет место при любом направлении воздействия электрического ноля. Однако для снижения темнератур нагрева испытываемых образцов нредпочтительно использовать пластины Z-среза, с температурным интервалом испытаний 150- 400°С. Для образцов, ориентация которых отлична от Z-среза, область температурно-чассдвинута в сторону более высоких темлератур, и поэтому температурный интервал испытаний в этом случае сдвигается в область более высоких температур.

Измерение температуры положения релаксационного максимума тангепса угла диэлектрических потерь проводят на частое 1 кги, так как на ней обеспечиваются наиболее надежные результаты измерений. В качестве образцов используют круглые или плоские диски диаметром 15 мм, толщиной 1,3 мм, поверхности которых обрабатывают простой

ШЛИФОВКОЙ.

Предмет изобретения

Способ определения качества кристаллов пьезоюварца, основанный на измерении тангепса угла диэлектрических потерь па образцах произвольной ориентации, преимущественно Z-среза, произвольных размеров и формы, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и надежности, качество, например

добротность кристаллов, определяется по величине темпер атурно-частотной дисперсии диэлектрических потерь путем измерения температуры положения релаксационного максимума тангенса угла диэлектрических потерь.