Изобретение относится к электрофотографическим способам получения изображений, а именно к способам обеспечения наилучшего соответствия полученного изображения оригиналу.
Известные способы улучшения качества полученного полутонового изображения за счет применения контрэлектрода характеризуются тем, что преобразование свет-заряд, т. е. преобразование светового изображения в скрытое электростатическое, существенно нелинейный процесс, искажающий передачу полутонов.
Предлагаемый способ позволяет улучшить линейность преобразования свет-заряд за счет помещения слоя ъо внешнее поле, изменяющееся во время экспонирования.
Квантовая эффективность фотополупроводиика зависит от напряженности поля в нем, так как с уменьшением поля увеличивается вероятность рекомбинации генерированных светом пар электрон-дырка, а также вероятность захвата носителей. Обычно поле в фотополупроводнике обусловлено поверхностным зарядом и изменяется по мере изменения поверхностного заряда при экспозиции, что ведет к изменению квантовой эффективности слоя, т. е. к нелинейности преобразования свет-заряд. Таким образом, преобразование будет линейно,- если- при экспозиции поле в
фотонолупроводнике niудерживается постояниыл. Это условие линейного преобразования не может быть выиолнеио, если ноле в фотополупроводниковом слое создается только новерхностным зарядом. Необходи.мо ввести еще одну составляющую поля в фотополуироводииковом слое, поместив его во внешнее электростатическое поле, которое изменяется по мере изменения поверхностного заряда таким
образом, что поле в фотоиолупроводнике остается слабым или слабо меняется.
Способ улучшения лннейностн преобразовании свет-заряд состоит в помещении слоя
фотополупроводника (селен или окись цинка) толщиной 10-100 мкм иод контрэлектродом, причем расстояние между ними составляет от 4 до 100 мкм, на контрэлектрод подают напряжение от 500 до 2000 в, не приводящее к
пробою воздушного промежутка между контрэлектродом и слоем. Напряжение на коитрэлектроде во время экспонирования меняют так, чтобы ток во внешней цепи в течение всего процесса эксионированпя оставался постоянным.
Предмет изобретения
Способ улучшения линейности преобразования свет -заряд при электрофотографической записи, основанный на использовании зависимости квантовой эффективности от напряженности поля в слое и состоящий в помещении фотополупроводникового слоя при экспонировании во внещнее электростатическое поле, отличающийся тем, что, с целью обеспечения соответствия записываемого изображения оригиналу, внешнее поле регулируют так, что вначале оно направлено встречно напряженности ноля, обусловленной поверхностными зарядами фотополупроводникового слоя, а затем во время экспонирования изменяют напряжение источника, создающего внешнее поле, уменьшая изменение общего поля в фотополупроводниковом слое и удерживая постоянным ток во внешней цепи в течение всего времени экспонирования.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
УСТРОЙСТВО для ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОЙ | 1973 |
|
SU379909A1 |
Способ определения режима электрофотографического процесса записи скрытого изображения на фотоносителе с диэлектрическим покрытием | 1983 |
|
SU1155989A1 |
Устройство для оптико-электрического преобразования информации на ленточном электростатическом носителе | 1984 |
|
SU1205122A1 |
Аппарат для электрофотографического копирования | 1978 |
|
SU739465A1 |
Способ электрофотографической записи | 1978 |
|
SU710019A1 |
Способ формирования скрытого электростатического изображения на электрофотографическом носителе с диэлектрическим покрытием | 1982 |
|
SU1097966A1 |
Электрофотографический носитель записи информации | 1981 |
|
SU987567A1 |
Многослойный электрофотографический материал | 1982 |
|
SU1027685A1 |
Способ получения электрофотографических тоновых изображений | 1986 |
|
SU1392539A1 |
Способ получения штриховых негативных электрофотографических микроизображений | 1986 |
|
SU1379765A1 |
Даты
1972-01-01—Публикация