Многослойный электрофотографический материал Советский патент 1983 года по МПК G03G5/08 

(

Ш

VX ffjfrfffff f fffff/fffff rff.tf-f f fj. f/f/// f j Bi -xлvx/ л x xy /ryyУЛЛ/ yXУxx///-//v/ -/////y/ :;

ЩЩЩЩЩЩ; 4 V

Изобретение относится к копировальной технике, в частности к материалам применяемым в электрографии для регистрации на них оптического изображения.

Известен, многослойный электрофото графический материал, содержащий два слоя аморфного стеклообразного фотополупровояника с адгезионным слоем между ними, армированным в единую монолитную структуру внешними диэлектрическими слоями Cl.

Недостатками данного электрографического материала являются низкая тиражеустойчивость, низкие эксплуатационные и недостаточно хорошие сенситометрические харак:теристики.

Цель изобретения - повышение тиражеустойчивости, улучшение эксплуатационных и сенситометрических характеристик.

Поставленная цель достигается тем, что в многослойном электрографическом материале, содержащем два слоя аморфного стеклообразного фотопрлупроводника с адгезионным слоем между ними, армированным в единую монолитную структуру внешними диэлектрическими слоями, диэлектрические слои выполнены из прозрачной полимерной пленки с модулем упругое.ти на растяжение не менее 200 кгс/мм а адгезионный слой выполнен полупроводниковым ТОЛЩИНОЙ 1-2 мкм и расположен не более 1/3 общей толщины электрографического материгша от центра механического изгиба.

Кроме того, диэлектрические слой выполнены из полиэтилентерефталатной пленки толщиной 10-20 мкм, а слои из аморфных стеклообразных фотопЬлУпроводников выполнены рз аморфного селена толщиной 30-40 мкм, при этом одна из диэлектрических пленок на одной из своих сторон имеет полу- . прозрачное электропроводящее покрытие.

На чертеже схематически изображена конструкция многослойного электрофотографического материала.

Пpeдлaгae «iIй электрофотографйческий материал содержит два внешних диэлектрических слоя 1 и 2, выполне ных из прозрачной полимерной пленки с модулем упругости на растяжение не менее 200 кгс/мм , например из полиэтилентерефталевой пленки толщиной 10-20 мкм, два аморфных стеклоо разных фотополупроводника 3 и 4, а также промежуточный адгезионный сло 5, выполненный полупроводникового слоя толщиной 1-2 мкм и расположенный не более 1/3 общей толщи электрофотографического материала от центра механического изгиба, внешние границы Q кг диэлектрических слоев 1 и 2 доступны для про явления обычными электрографичеекими методами, например магнитной кистью, каскадным способом, жидким проявителем и т.п.

Установлено, что препятствуют когезионному разрушению лишь те пленки, у которых модуль упругости на растяжение превосходит 200 кгс/мм Прозрачная полиэтилентерефталевая пленка,- имеющая хорошие диэлектрические , оптические и механические характеристики и полученная экструзионным методом оптимально подходит для использования в предлагаемом элёктрофотографическом матери- але. Ограничение по модулю упругости значительно сужает выбор материалов для диэлектрических слоев электрофотографического материала, однако оно является необходимым условием обеспечения когезионной прочности.

В качестве аморфных стеклообразных фотополупроводников 3 и 4 могут быть использованы высокоомные неорганические фотополупроводники типа селена, триселенида мышьяка, триселенида мышьяка с добавками сурьмы и т.п. Соотношение толщин диэлектрических и фотополупроводни- ковых слоев определяется требованием высокой когезионной прочности электрофотографического материала, а именно промежуточный адгезионный слой должен располагаться на расстоянии не более 1/3 общей толщины электрофотографического материала от центра механического изгиба.

Пример 1. Получают бесподложечный гибкий симметричный электрофотографический материал. Для получения многослойного электрофотографического материала монолитно соединяют две наружные полиэтилентерефталатные пленки толщиной 20 мкм и фотополупроводник, содержащий два слоя аморфного селена толщиной 30-40 мкм, между которыми располагается Структурно неоднородный промежуточный адгезионный полупроводниковый слой толщиной порядка 2 мкм. Нгшичие и толщина промежуточного слоя определяются методом дрейфа тока малого заряда.

Характерное изменение структур адгезионного полупроводникового ,слоя в пределах промежуточного слоя отражается в изменении характера движения через него дрейфуихцих зарядов. Структурные изменения нарастают к центру промежуточного слоя. За пределами промежуточного слоя структура селеновых слоев соответствует структуре напыленного аморфного селена. Благодаря плавному переходу структурные неоднородности не приводят к образованию глубоких уровней захвата, чем и достигаются высокие сенситометрические и эксплуатационные характеристики матери ала. В то же время-расположение промежуточного адгезионного слоя внутри / тополупроводникового обеспечивает получение ленты элёктрофотографическогр материала длиной 50 м и более, в которой идеально выдерживается толоздна диэлектрических и фотополупроводниковых слоев а следовательно, и стабильность сенситометрических свойств всей лен ты электрофотографического материала. Расположение промежуточного адгезионного слоя не более 1/3 общей толщины электрофотографического от центра механического изгиба позволяет устранить когезионное разрушение материала, например даже.При многократном изгибе (более 10 раз) на стержне диаметром 6 мм, который в 5-10 раз тоньше минимального диг1метра, на котором изгибается материал в копировальном аппарате в процессе эксплуатации, не наблюда- ется появления кдакротрещин. Располо жение селенового фотополупроводникового слоя между диэлектрическими полимерными пленками позволяет также за(1етно уменьшить скорость кристаллизации аморфного селена по срав нению с кристаллизацией пленок с незамеченной внешней поверхностью, а также увеличить температуру хранения и эксплуатации злектрофотографического материала с селеновым фотополупроводниковым слоем (порядка на ). Чувствительность электрофотографического материала с селеновым фотополупроводннковым слоем оцененная по электростатическому контрасту 400 В, составляет 5 лк«с (при экспонировании через светофиль СЗС 22). Усталост;и электрофотографи ческого материала при длительной ег эксплуатации не наблюдается, если в цикле записи на стадии предваритель ной зарядки он равномерно освещаетс со стороны обоих диэлектрических слоев. Изображение можно проявить как на одной, так и на другой сторо не электрофотографического материала (как позитивное, так и негатив-ное), количество .качественных копий с одного экспонирования достигает 400. Пример 2. Получают гибкий электрофотографический материал с .проводящим слоем. Отличие данного материала от материала, полученного в примере 1, состоит в том, чтЪ одна из сторон одного из диэлектрических слоев имеет платиновое (или никелевое) электропроводящее прозра ное покрытие. Наличие этого покрити позволяет использовать электрофотографический аппарат в копировальных аппаратах, в которых коронирующие устройства расположены лишь по од1027685йу сторону Ьт материала. В этом случае, однако, диэлектрический слой с проводящим покрытием шлПолняет лишь ту же роль, что и подложка в о(чных электрофотографических слоях. При этом проводящее покрытие может Сыть расположено как на внетаней, так и на; внутренней стороне диэлектрического слоя. Сенситометрические и эксплуатационные характеристики те же, что и в примере 1. Пример 3. Получают гибкий панхроматический электрофотографический материал. Для электрофотографического материала, чувствительного во всей спектральной области белого света, используют две полиэтилентерефталатные пленки толщиной 20 и 70 мкм и многослойный фотополупроводниковый слой, состоящий из селенового слоя толщиной 60 мкм, слоя триселенида мшиьяка толщиной 3 мкм и промежуточного полупроводникового слоя меисду ними толщиной 1 мкм. Конструктивно толстый селеновый фотополуйроводниковый слой помещают со стороны тонкого диэлектрического слоя, В результате такого выполнения электрофотографическогб материала промежуточный полупроводниковый слой попадает в зону, отстоящую от центра механического изгиба не более 1/3 общей толщины электрофото- графического материала. Промежуточный слой выявляют на осциллограммах кинетики дрейфа тока малого заряда, причем он представляет собой плавный переход от аморфного селена, к аморфному трисилениду мьваьяка. Захват носителей заряда, дрейфукндих через промежуточный слой, не превышает 5%. Усталость устраняется равномерным освещением белым светом электрофотографическбго матерИсша с обеих сторон во время стадии предварительного зар 1жения.Изменения сенситометрических характеристик в прсадессе многократной записи при этом не наблюдается. Когезионного разрушения также не обнаруживается.. Фоточувствительность, оцененная по электростатическому контрасту 400 В на тонком диэлектрическом слое, составляет 0,5 . При освещении электрофотографическс)Го материала со стороны триселенида нешьяка спектральнгш чувствительность его совпадает со спектральной чувствительностью триселенида мышьяка. При освещении электрофотографического материала со стороны селенового слоя спектральная чувствительность его не совпадает со спектральной чувствительностью селенового слоя. В 1ХЛИННОВОЛновой части спектра имеется додъем фоточувствительности, обусдовлённый фотогенерацией носителей

510276856

тока в слое трйселенида мышьяка,жений неодинакова на тонком яиэлекдо которого доходит актиничный свет,трическом слое разрешение вьвие. прошедший через селеновый слой.Использование предлагаемого иэобСкрытое электростатическое изображе-ретения позволяет повысить тиражёусние может быть проявлено на обоих тойчивость, раайирить сенситометричедиэлектрических слоях, однако в мате- 5 ские характеристики и улучшить эксриале такой конструкции предельнаяплуатационные характеристики материраэрешающая способность обоих изобра-ала.

1.МНОГОСЛОЙНЫЙ ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧБСКИЙ МАТЕРИАЛ, содержащий два слоя аморфного стеклообразного фотополупроводника с адгезионным слоем между ними, армированным в единую монолитную структуру внешними диэлектрическиг слоями, отличающийся тем, что, с целью повьшения тиражеустойчивости, улучшения эксплуатационных и сенситомет 1 рических хгцрактеристйк, диэлектрические слои BunonHetRi из прозрачной полимерной пленки с модулем упругое ти на растяжение не менее 200 кгс/мм, а адгезионный слой выполнен полупро врдниковым толщиной 1-2 мкм и распбложен не более 1/3 общей толщины электрофотографического материала от центра механического изгиба. 2. Материал по п. 1, отличающийся тем, что диэлектри.ческне слон выполнены из пол)«этилентерефталатной пленки толщиной 1020 мкм, а слои из гшорфиых стеклообразных фотополупроводников выполне% mt из омюрфного селена толщиной 3.40 мкм, . этом одна из диэлектрическцх пленок на одной из своих сторон ttiyieeT полупрозрачное электропроводящее по1п;«1тие. .