ЕМКОСТНОЕ З.ЛПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО Советский патент 1972 года по МПК G11C11/24 

Изобретение может быть применено is a:i;iлоговых устр011ствах выП сл 1тельиои техиик:.

Известлы 3ano iHiiai()HJ.ie ycipoiicTiia, ли строенные на заг1омл11а1()1цем конленегггоре л катодном noBTOpinxMe.

11едосгаткамл лзвестных yoTpoiicrii я/.ляются:

а)1и) палря 1че1111е н.н/ке :-;х(), ;кмедет ле чего лосле зиломннающих каскадов требуется зк/почеиие хеиллтелел, i oTopi)ie имеют д)еГ|() иапряжелля;

б)необходим уелллгель с бо;1ылл 1 входным coripOTHB.ieiiiie.M;

Л) невозможно созда:1ле тра :1егорн:,1х aiia.ioroB этих ycrpofiCTB;

г) отс тствуе1 зо: мо/к 1оет1 нроме/к дочного запомлн;;1 1я.

() пред.ипаемосо лзоб;)ете;1ля я ;:1яетея созда|1ле емкостного задюминающего етpoiiCTisa. сюбодного от указашилх недостат1 оз.

11ред;1агаемое eTpoiicTiBO содержит, кал л i3i ecTHi)ie, заномлнающнс конденеато1)ы л транзисторы. : K;iioie;iHbie по схеме с обди базоГ. О-но отдичается от .1звест 1 1х тем, что з нем ко входу первого каскада, уеи.леиия нодключен нервыГ конденсатор, кол;1С1 тор транзистора второго каскада уси.нення нодклочел ко второму конденсатору через диод, подключе;1ны 1 к коллектору первого транзистора, трети1i конденсатор подключен к коллектору

гра; зистора об;1ат::оГ1 проводимости третьего хасхада усллснля.

Д1я промежуточного запоми 1анля заряда лс:10,11 зуется :;сломогательны1 1 конденсатор, а для сох 1;1нения заряда на вспомогательном х): ленсг:торс зводтгтся схема «11, Передача аряда с 1;с1К)Д Ог;пч 1Ьного конденсатора пролеход,:- е ):U:IK) транзисто ча, вк.поченного ч. с лбшсн базой.

Нь1ход;;ое 1 ап 1яжелие формлруется KOI-денсагэрол:, вк,почечным к цепь кол.текто тра нзнстора.

.Для }зе,;ичення ког(}1(|1инлента персдачл , но ::анря ксн;ио устройство содержи г KOi.iexcaTopB последовательно хменьнкно;;ич ся СлМхОСТИ.

11а (риг. 1 июбражС|:а схема емкостного а;и)млна:;)н;его устройства: на фнг. 2 нрлвслс:л;: врсме:л:ые Д:аг)аммв1 jia6o4eii ехемьк

Mi-pei вход / подается напряжение но.ю/л;.те,1ь;:он полярности. Конденсатор 2 подх.1и;чси паралле.ьно клапанНруемого гранзистооа Я. в базслпчо цепь KOTOpoio вк.иочен оезистор /. 11а вход 5 подастся л:ра1,1яю:дсе j:aлряжен11е (1 л --1:. причем i(/c,, где I , - наи;1яжение на конденсаторе 2. С коллектором транзисто )а о еоеди}1е}| кондеисатор ) и нэслеловатсльно с ним диод 7. Диод и тэг.нзлсто 1 9 образуют схему «I-I, управ.) разрядом хо денсатопа 6 через резисгор 10 и iicHAO.i. i:;i,-i;) pa //. 1 la 1,:чЛ1л1 i MJ;

ТаиИИ о rpili; ,1 ;:ii. i|: :u;.

// служпт дли ;u:}L ач;; pa 6 iia Koa;;:;;;: ; .i;- /o да 8.

Выходном ,;:;:;;: -, ,: : гранЗастора //.

Работа 1 а/кд:):м xai ii чотьгре гакта . 3 аЧС 1Иями аа11р:;;:ч1 : ,И; ляк)1цае л ;: /. ; 1ЦСГО ycTpoih.1-ва.

В периь ; та;.;т i а пол: иогсицаал ID а,;: Г

шиде.юатор 2 чора.; ачоа, / - лис с 1аала п(),1и/;;1Ч1Чмача: npCiUiiiiiaioinei iai:iipa;oaiA; а ки J. После с)кончач; я ai.:::r,i (м;сатор 2 aai-j.Hia: : laa ч

где Г,

2

В коанс Hopiiiao акта а.м;: i ключасггся.

Bllj к ip ) II L,11

l /jl и I I111

II III I, a M ui I i 1 I p iiiau II it II III I 1 inip nil I ip M 111 1 I I 10Д I i , I I , I . 1 PI

clIIO IL 11 4|J I I S 1111 I II

pcH IjiH Irhl IKI 1 I 1 I

Д Г) I, mi pi)i к

л lO II р1Ч) I ,1I lip

ILlIuUcI I Il 1 7 11ii

Lin la Ki la ii I a 1 I 1 i i i II ipaL 1 PC Hi L 11-I II 11 1 ILJ

L lopj ,-( M p I ILI 1 U I I I

Oil ;LiH.ii lup , u I I) I, Ml I .a lopa , PL , 1 1 p / i ill I

ряжас К011делеато) b i:o axaa: ixoaa диод 7, минус астоалика iiirraiiavi. ч, и.ика гпиапнк, рсзлсто) /. исрсхоа, лектор трапзисюра 3, :-;оаллчсаг{)р мя переходного проасссч чочл,е:ичч рядится до ау,1я ч черс.-; чм-гчмла, транзистора . лчотечст ч ч а

где т -- длительность нерЧХ:)Л1Ч.|:

(д- ток элпггтС а таапзнстор За время т конденсатор 6, 1чр ком коллектора транз1;ст:)|1а . ; а

ЧСЧ Ч; ЧЛЧДХ г ч ч . i; 4i,l

4ia;i ч;ч,чОстао;ч} ччч |)тччо;чч.и на ;;i чс ччччи; г-ч:ч чччч-чч;

где i,;- ток коллектора транз Очевидно, что д., -- ct:; 172, где а- - коэ{1),,иснт 1ег)ода зистопа :,.