РАСТРОВАЯ МАСКА Советский патент 1972 года по МПК H05K3/12 H05K3/12 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении толстопленочных микросхем, а также печатных плат.

Известная растровая маска, преимуш,ественно для нанесения пасты при изготовлении толстопленочных микросхем, выполненная на фольге, имеюш,ей с одной стороны растровые отверстия, а с другой - рисунок топологии, не позволяет получить однородный по толщине слой пасты.

Для получения однородного по толщине слоя пасты предлагаемая маска снабжена опорными выступами, расположенными в поле рисунка.

На фиг. 1 изображена предлагаемая растровая маска, поперечный разрез; на фиг. 2 - фотошаблон линейчатого растра; на фиг. 3- фотошаблон точечного растра, причем точки расположены под узлами пересечений линейчатого растра через один узел; на фиг. 4 - фотошаблон заданного рисунка, совмещенного с точечным растром, растровые нити, опорные столбики и подрастровое пространство.

Растровую маску изготовляют следующим образом.

Методом съемки и контактной печати изготовляют фотошаблоны линейчатого и точечного растров в масштабе 1:1 на пленке.

стрированного рисунка в масштабе 1:1 на пленке (см. фиг. 4).

Фотошаблоны линейчатого растра и растрированного рисунка совмещают под микроскопом (точки должны лежать на перекрестьях нитей) и склеивают.

Заготовку из беррилиевой бронзы покрывают с двух сторон фоторезистом, экспонируют каждую сторону через соответствующий

фотощаблон ультрафиолетовыми лучами, проявляют соответствующим фоторезисту проявителем .и дубят. Проводят химическое травление заготовки с двух сторон в растворе СгОз. Задубленная пленка фоторезиста служит защитным слоем.

При необходимости получить более точные геометрические размеры контура рисунка защитным слоем при травлении служит 10-микромиллиметровый слой гальванически нанесенного никеля по подобной технологии. Вытравленную заготовку приклеивают клеем БФ-4 к базирующей рамке. Полученную маску устанавливают фольгой к подложке, на которую необходимо нанести рисунок той стороной, где вытравлен рисунок с опорными столбиками.

Наносимую ракелем пасту продавливают через растровые отверстия на подложку. При этом опорные столбики ограничивают касание растровых нитей подложки, обеспечивая постоянную толщину продавливаемой пасты на

всей площади рисунка. Из-за малых геометрических размеров площади касания (сечения) опорных столбиков следы в пасте от них сливаются после отделения маски.

Предмет изобретения

Растровая маска, преимущественно для нанесения пасты при изготовлении толстопленочных микросхем, выполненная на фольге, имеющей с одной стороны растровые отверстия, а с другой - рисунок топологии, отличающаяся тем, что, с целью получения однородного по толщине слоя пасты, маска снабжена опорными выступами, расположенными в поле рисунка.