СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТОВ СЛОЕВ МАТЕРИАЛОВ Советский патент 1972 года по МПК G01N27/24 

Изобретение относится к области электродной техники, в частности к троиз-водству лолуп.роводн,иковы,х приборов.

При Л|роиз1водстве лолупроводвиковых прл6oipoB (диодов, транзисторов, .интегральных схем и т. д.) методами планаряой технологии лредъявляются .высокие требования « .качеству поверхности лолупроводнИ1Ков и диэлектрических слоев, так ,как дефекты слоев матфлалов оказывают значительное .влияние -на разброс параметров, .надежяость и выход годных полу.проводниковых пр.иборо-в.

Известен электрол.итический способ конт.Роля .дефектов диэлектрических слоев на -полулроводЕИковых ИЛИ металлическ1их подложжах, заключающийся в том, что на полупроводЕИковую лодложку с исследуемой диэлектрлческой пленкой .-накладывают |фотобумагу, локрытую эмульсионным слоем, н всю систему, расположе/нную мемду д1ву1М Я элект(рош,ами, помещают :В электролит (во.ду). При лрохож.девии тока через систему ионы се|ребра фотоэмульсии восстанавливаются на порах и других про.водящих дефектах. Однако с ломощью известного способа .невозможло конлролировать электронепроводящие дефекты, имеющиеся на поверхности и :В приповерхностном слое диэлектриков, лолупровод.нико,в и металлов.

водящих и непроводящих дефектов полупроводников, диэлектриков и металлов.

Это достигается тем, что регистрирующий матерИал наносят на диэлектрическую подложку и -ко всей системе лриклады.вают электрическое поле но .величине.не ниже Ю в/см.

Сущность способа заключается в том, что образец на:кладывают исследуемой поверхлостью на эмульсионный слой фото.пластины,

(Например, стеклянной, помещают эту систесму между .ллоскими металлическими электродами II прикла.дывают к ним надряжение. Независимо от полярности происходит разложение состана эмульсионного слоя в местах наиболее

сильного элект|р.ическото поля, что соответствует дефекта1М ,и неодноро.дностям на поверхности исследуемого образ на. В качестве эмхмьсиоииого слоя может быть использован соста.в на основе Ag Вг.

После лроя.вления на фотолластине поя.зляются изобра.жения поверхности с черны.ми точками, соответствующими неодноро.диостям и дефекта.м.

П р е д м е Т и 3 О б р е т е н и я

360599 .

3-4

дуемой системе напряжения, отличающийся гист;рирующий материал наносят «а диэлектритем, что, с целью одновременного получения ческую подложку и прикладывают электричесизображевий проводящих и непроводящИХ де- кое поле по величине не ниже Ю е/сл. фектов и расширения области применения, ре