ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПОДЛОЖКА Советский патент 1973 года по МПК H01L27/00 

1

Изобретение относится к технологии производства интегральных схем и полупроводниковых приборов и может быть использовано в устройствах для совмеидения топологических рисунков фотошаблона и полупроводниковой пластины.

Известная полупроводниковая подложка для изготовления интегральных схем и полупроводниковых приборов, на поверхности которой расположены выполненные в виде канавок отметки совмещения рисунка подложки с рисунком фотошаблона, имеет низкую точность совмещения рисунка подложки с рисунком фотошаблона.

Цель изобретения - повысить точность фотоэлектрического совмещения рисунка подложки с рисунком фотошаблона.

Для этого канавки расположены в просветах между интегральными схемами и полупроводниковыми приборами на поверхности подложки, противоположной относительно поверхности подложки, на которой размещены интегральные схемы и полупроводниковые приборы, и заполнены непрозрачным веществом, например ситаллом.

Сущность изобретения поясняется чертежом, где показано поперечное сечение полупроводниковой иодложки с реперным знаком совмещения на ее поверхности.

Полупроводниковая подложка 1 с расположенными на ее поверхности структурами 2 интегральных схем содержит щтри.ховой реперный знак в виде глубинной канавки 3, заиолияемой ситаллом 4, который изолирован от материала подложки маскирующим (изолирующим) слоем 5.

Реперный знак 3 обладает контрастом как в отраженном видимом свете, так и в проходящих лучах для ближней ИК - области спектра. Однако он изменяет положение своих фотометрических осей при несимметричном заполнении его профиля различными веществами, например фоторезистом, в пропессе технологических операций изготовления интегральных схем.

Стабильность фотометрической оси глубинного реиерного знака достигается благодаря тому, что каиавка заполняется химически неактивным материалом полупроводниковой подложки веществом 4 п значительно отличаюи 1имся оптическими свойствами как для видимого света, так и для ИК - области спектра. Таким требованиям удовлетворяет ситалл, который совершенно непрозрачен в ИК - области спектра и обладает диффузным отражением для видимой области. После заполнения канавки ситалл спекается с материалом подложки. При этом для предохранения полупроводниковой подложки от проникновения в нее ситалла и диффузии возмож.ных в нем химических примесей, т. е. для стабилизации границ реперного знака 3, а отсюда и стабилизации его фотометрической оси, ситалл изолирован от полупроводниковой подлол{ки маскирующим слоем 5.

Для кремниевой подложки таким слоем может быть двуокись кремния (SiOg).

Предлагаемая полупроводниковая подложка позволяет расположить реперные знаки как на ли1цеБОЙ, так и на обратной ее стороне, что особенно важно для работы фотоэлектрических систем совмещения в ИК - области спектра. В последнем случае знаки совмещения должны быть расположены в просветах между структурами интегральных схем, расположенных на поверхности пoдлoжkй, как это показано на чертеже.

Предмет изобретения

Полупроводниковая подложка для азготов-ления интегральных схем и полупроводниковых приборов, на поверхности которой расположены выполненные в виде канавок отметки совмещения рисунка подложки с риЬунком фотошаблона, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности фотоэлектрического совмещения рисунка подлолжи с рисунком фотошаблона, канавки расположены в просветах между интегральными схемами и полупроводниковыми приборами на поверХНОСТИ подложки, противоположной OTHOj

сительно поверхности подложки, на которой размещены интегральные схемы и полупроёоднйковые приборь, и заполнены непрозрачным веществом, например ситаллом.