СПОСОБ ПРЕЦИЗИОННОГО БАЗИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИНВСЕСОЮЗНАЯ11ДТШИ9-ТШ2пЬ:6'15Л>&ЮТЕНА Советский патент 1971 года по МПК H05K3/24 

Изобретений относится к технологии производства радиоаппаратуры и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых твердых схем и планарных микротракзисторов.

Известны способы- прециеионного базирования полупроводнИКО.вых пластин с помощью фотоэлектрических датчиков и фотоэлектрических микроскопов.

Однако известные способы в производствешых условиях обладают малой производительностью, так как операции совмеи1,ения рисунков фотошаблона н подложек вьгполняются вручную.

С целью автоматизации операции бази рования пластин, увеличения производительности и точности базирования по предлагаемому способу на поверхность детали предвари,тельно нанося т метки в виде канавок, размер которых соизмерим с заданной точностью базирования, положение базирования пластин фиксируется с помощью контрольного инструмента, иглы которого при пере ещении кластины западают в кана.вки).

В качестве примера применения сиссоба прецизионного базирования пластин рассматривается баз11|)оваиие кремниевых пластин ири; производстие интегральных твердых cxe..i на операциях совмещения и экспонирования с точностью 1 мкм.

На фиг. 1 дано положение иглы .контрольного инструмента в канавке пластины; на фиг. 2-5 - четыре последовательных положеНИЯпри базировании пластины; на фиг. 6- блок-схема устрой ства, регистрирующего момент западания иглы контрольного иистру.мента в канавку.

Пластична / въшолнена из крем;ния и покрыта пленкой 2 окисла SiO2. Методом фотолитографии на пленку окисла в трех местах наносятся канавки 3 глуби.ной 0,4 мкм, щириной 5-10 мкм, плен1ка окисла покрывается слоем фоторезиста 4. Игла 5 при перемещении, пластил западает в канавку 3. Контрольный инструмент также может иметь иглы.

Окружностями J и У обозначены фиксированные положения игл с базами Л и В.

После предварительной установки пластины / по трем штифтовым упорам 6 с точностью порядка 10-15 мкм (фи,г. 2) пластина перемещается по часовой стрелке до попадания итлы в канавку 3 (фиг. 3), зате.м происходит поворот пластины против часовой стрелки вокруг оси иглы Y до попадания иглы .V во вторую канавку.

Процесс базирования заканчивается (фиг. 5) в .момент захвата ка1 авкой 3 нглы Z при следующе.м перемещении, пластины по 1:а 1оавлению, казанному

Блок-схема датчИ|К 7, элекГролный усилитель 8, регистрирующий прибор Я исполнительный механизм 0.

Магнитная система датчика состоит из сдвоенного Ш-образного сердечника И с двумя катушка.ми 12. Катушка датчика и две половины первичной 01бмотки дифференциального трансформатора /5 образуют балансовый мост, питание которого осуществляется от генератора звуковой частоты 4. При, перемещения пластины 1 игла 5, ощупывая поверхность, западает в ка.навку, и вызывает колебание якоря 15, в результате которого ме«яется воздущный зазор между якорем и сердечником и напряжение на выход дифференциального тр-ансформ,атора 13. Полученное изменение напряжения усиливается электронным усилителем, на выходе последнего могут подключаться регистрирующий прибор или исполнительный механизм.

При получении соответствующего сигнала произволи.тся изменение характера движенияпластины для залавливаяия иглами) следующих двух углублений.

Предмет изобретения

Способ прецизионното базирования полупроводниковых пластин, на поверхности которых выполнены метки в виде канавок, размер последних соизмери.м с заданной точностью базирования пр.и изготовлении интегральных схем, отличающийся тем, что, с целью автоматизации операции базирования пластины, для фиксации п оложения базирования пластины используюгг контрольный инструмент, иглы которого при. перемещени пластины западаюгг в канавки.

Фиг. Г- fyVZzZZZ ZT