ФОТОРЕЗИСТОР Советский патент 1973 года по МПК H01L31/08 

Изобретение относится к области элекгротехники.

Известен фоторезистор, выполненный в виде нанесенных иа подложку слоев фотопроводчика и растровых электродов. Недостатком такого фоторезистора является неполное использование объема фотослоя и его чувствительности.

Цель изобретения - расширение спектральной чувствительности и снижение светового сопротивления фоторезистора. Это достигается тем, что в предлагаемом фоторезисторс между подложкой и слоем фотопроводника расположен проводящий слой, выполненный в виде двух взанмоизолированных и электрически соединенных с растровыми электродами слоев.

Растровые электроды могут быть вьшолне 1ы из прозрачного материала.

На чертеже показан описываемый фоторсзистор, разрез и вид сверху.

Фоторезистор состоит из подложки /, фотослоя 2, контактирующего с одной стороны с растровыми электродами 5, с с другой-с плоскими электродами 4, разделеиными небольшим зазором. Электроды 3 и 4, расположе)ные на противоположных сторонах фотослоя, соединены попарно (верхний с нижним).

Таким образом, фоторезистор работает как в «поперечном режиме фотопроводимости при помощи растровых электродов, так и п «продольном режиме при помощи каждого из растровых электродов и соответствующего плоского электрода, соединенного с протигюиоложным растровым электродом.

Предмет изобретения

1.Фоторезистор, выполиеиный в виде нанесенных на подложку слоев фотопроводника и

растровых электродов, отличающийся тем, что. с целью расширения спектральной чувствительности и снижения светового сопротивления, между подлолчкой и слоем фотопроводника расположен проводящий слой, выполненный в виде двух взаимоизолироваиных и электрически соединенных с растровьши электродами слоев.

2.Фоторезистор по п. 1. отличающийся тем, что растровые электроды выполнены из ирозрачного материала.