I ЙОКСОЮЗНАЯ 1^:,, ,ТУ-'^л.^,-г,--.(!«;;;угг»г, 5 • -.-•' - '..*„ ' ', t;'V i й1--^'л^'--3 bia'- цц; Советский патент 1973 года по МПК G11C11/34 G11C11/39 

1

Предлагаемое устройство относится к области вычислительной техники и может быть использовано в качестве элемента памяти запоминающих и решающих устройств электронных вычислительных машин.

Известен статический многоустойчивый элемент памяти, представляющий собой последовательное соединение нагрузочного резистора и полупроводниковых четырехслойных приборов - тиристоров, эмиттерные переходы которых зашунтированы резисторами.

Недостатком таких элементов является низкая надежность работы вследствие необходимости точного подбора составляющих тиристор траизисторов и других компонентов схем.

Предлагаемый элемент содержит параллельно соедипенные последовательные цепочки из полупроводникового четырехслойного прибора и нагрузочного резистора по числу устойчивых состояний, объединенные концы которых через дополнительный резистор подключены к шине нулевого потенциала, а эмиттерные переходы полупроводниковых четырехслойных приборов зашунтированы переменными резисторами.

На чертеже показана принципиальная электрическая схема многоустойчивого элемента памяти.

Элемент памяти содержит четырехслойные нриборы /, одни выводы которых через нагрузочные резисторы 2 соединены с щиной записи 3 и источником питания 4, другие выводы - с общим резистором 5, обеспечивающим считывание информации. Эмиттерные переходы 6 четырехслойных приборов зашунтированы переменными резисторами 7. В зависимости от величины этих резисторов четырехслойные нриборы имеют различные пороги напряжений включения.

Для нояснения работы элемента памяти, например на «m-f-l состояние, предположим, что имеется «ш четырехслойных приборов с

различными иорогами включения

Uli-, (1 ), причем t/L ./в,Гл .

В исходном состоянии все четырехслойиые приборы элемента па.мяти находятся в выключенном состоянии, так как величина напряжения источника иитания выбирается меньще, чем наименьшее наиряжение включения иервого четырехслойного прибора. При этом вых т/о, где бвых - выходное напряжение элемента

памяти; /о - ток четырехслойного прибора в

выключенном состоянии.

В этом случае вследствие малой величины тока /о величиной (Уных можно пренебречь.

В режиме записи числа «и в многоустойчивый элемент памяти по шине записи на него поступает такой уровень напряжения зап, который переводит «и четырехслойных приборов в открытое состояние. При этом

должно выполняться условие U вкл С запПосле перевода «k четырехслойных ириборов в открытое состояние UBMyi kIi,R, где Ih - ток четырехслойного прибора в открытом состоянии. Следовательно, в зависимости от количества находящихся в открытом состоянии четырехслойных приборов на выходе многоустойчивого элемента памяти устанавливается в каждом отдельном сл)чае определенный уровень дискретного напряжения. Для хранения информации в ячейке памяти от источника питания 4 на четырехслойные нриборы подается постоянное или импульсное нанряжение. В последнем случае мощность, затрачиваемая на хранение информации, меныпе, но нри этом в 1эемя повторения импульсов должно быть меньше времени выключения четырехслойных приборов.

Стирание информации производится либо отключением источника нитания 4, либо подачей на шину записи 3 перепада напряжения обратной полярности на время, большее временн выключения четырехслойпых нриборов.

Предмет изобретения

Многоустойчивый элемент намяти, содержащий последовательную цепочку из полупроводникового четырехслойного прибора и нагрузочного резистора, связанного с шиной записи и источником питания, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности в работе, он содержит параллельно соединенные последовательные цепочки из полупроводникового четырехслойного прибора и )iaгрузочного резистора по числу устойчивых состояний, объединенные концы которых через донолнительный резистор нодключены к шипе нулевого потенциала, а эмиттерные переходы полупроводниковых четырехслойных нрнборов зашунтированы неременны.ми резисторами.

JO

О О