-ГСО-ОЗНАЯ Советский патент 1973 года по МПК H03K4/02 

1

Предлагаемый генератор относится к области наносекундной импульсной техники и может найти применение при разработке цифровых измерительных приборов, в осциллографах и т. д.

По основному авт. св. № 347899 известен информатор импульсной последовательности.

Однако известный генератор не обеспечивает возможности формирования ступенчатого напряжения с регулируемой амплитудой отдельных импульсов.

С целью обеспечения возможности формирования ступенчатого напряжения с регулируемой амплитудой отдельных импульсов в предлагаемом генераторе между входом запускающих импульсов и базой транзистора первого ключа введен дополнительный транзистор, коллектор которого «заземлен, а эмиттер подключен к коллектору транзистора первого ключа, к которому через резисторы подключены коллекторы транзисторов всех последующих ключевых каскадов.

На фиг. 1 приведена принципиальная схема описываемого генератора импульсной последовательности; на фиг. 2 - его временная диаграмма.

Эмиттер транзистора 1, база которого подключена к источнику отрицательного смещения через делитель на резисторах 2 и 5 и к источнику входных сигналов через конденсатор 4, связан с коллектором транзистора 5 а к его эмиттеру подключен катод диода 6 накоплением заряда (апод последнего подсое динен к общей шине) и блок 7 импульсного питания диода.

Коллектор транзистора 5 через резистор 8 соединен с источником положительного постоянного напряжения, через резистор 9 - с коллектором транзистора W, к эмиттеру которого подключен катод диода 7/ с накоплением заряда (анод последнего подсоединен к общей шине) и блок 12 импульсного питания. Аналогичным образом коллектор транзистора 5 соединен с коллекторами транзисторов последующих каскадов.

Величина сопротивлений, включенных между коллектором транзистора 5 и коллекторами транзисторов последующих каскадов, растет от каскада к каскаду. Так, например, сопротивление резистора 13, включенного между коллектором первого каскада (транзистор 5) и коллектором транзистора последнего каскада (транзистор 14) намного превыщает сопротивление резистора 9.

База транзистора 5 через делитель на резисторах 15 и 16 подключена к источнику отрицательного смещения, а через конденсатор 17 - к источнику входных сигналов. База транзистора 10 связана с источником отрицательного смещения через делитель на рези3сторах 18 и 19 и через конденсатор 20 и линию задержки 2/ - с источником входных сигналов. Таким же образом базы транзисторов в последующих каскадах связаны с источником отрицательного смещения и источником5 входных сигналов, при этом перед каждым последующим каскадом включается дополнительно линия задержки, например, между источником входных сигналов и базой транзистора д-го каскада включается (п-1) линия10 задержки, В исходном состоянии транзистор 1 типа р-п-р открыт за счет отрицательного смещения на базе, транзистор 5 типа п-р-п, транзистор 10 типа п-р-п и транзистор 1415 типа п-р-п закрыты. Через диоды 6, 11 и 22 с накоплением заряда протекают прямые токи, обуславливаемые источниками импульсного питания 7, 12 и 23 соответственно (применение импульсного питания диода с накоп-20 лением заряда улучщает характеристики сигнала на выходе схемы). С приходом запускающего сигнала положительной полярности транзистор 1 закрывается, одновременно выключается блок 7 импульс-25 ного питания диода 6 с накоплением заряда и открывается транзистор 5 на время, равное длительности фазы высокой обратной проводимости диода 6. В этот период напряжение на коллекторе30 транзистора 5 равно сумме падений напряжений на диоде 6 и транзисторе 5 и пренебрежимо мало (/7) на фиг. 2). Одновременно запускающий перепад, распространяясь через линию задержки 21, вклю-35 чает следующий каскад на транзисторе /О и диоде // с накоплением заряда, выключая блок 12 импульсного питания диода 11. По окончании длительности фазы высокой обратной проводимости диода 6 (при соответ-40 ствующем подборе длины линии задержки 21) начинается фаза высокой обратной проводимости диода 11, при этом перепад напряжения на коллекторе транзистора 5 определяется делителем, образованным резистором 8 и сум-45 4 мой сопротивлений резистора 9, насыщенного (открытого) транзистора W и диода // (La на фиг. 2). Таким же образом последовательно включаются в работу отдельные каскады. На выходе формируются перепады напряжения больщей величины, соответствующие больщим значением сопротивлений резисторов, включенных между коллектором транзистора 5 и коллекторами транзисторов в последующих каскадах. При окончании положительного перепада на входе транзистор 1 снова открывается, шунтируя коллектор транзистора 5. Напряжение на выходе резко падает (фиг. 2). Схема снова готова к работе. Изменяя сопротивления резисторов 9, 13 и т. д., можно регулировать величину соответствующей ступеньки напряжения (Uz, Us, /4 на фиг. 2), изменяя длительности фазы высокой обратной проводимости диодов 6, 11, 22 и т. д., изменением величины прямого тока, протекающего через них; синхронно с изменением времени задержки срабатывания соответствующих каскадов можно регулировать длительность любой ступеньки напряжения (Гь Т, Тз, Ttt на фиг. 2). Количество формируемых на выходе ступенек напряжения определяется числом каскадов предлагаемого устройства, Предмет изобретения Генератор импульсной последовательности по авт. св. № 347899, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности формирования ступенчатого напряжения с регулируемой амплитудой отдельных импульсов, между входом запускающих импульсов и базой транзистора первого ключа введен дополнительный транзистор, коллектор которого «заземлен, а эмиттер подключен к коллектору транзистора первого ключа, к которому через резисторы подключены коллекторы транзисторов всех последующих ключевых каскадов.

fpue.i