Формирователь парных импульсов Советский патент 1974 года по МПК H03K5/01 

1

Изобретение относится к области полупроводниковой импульсной техники и может найти применение при создании устройств наносекундного диапазона в вычислительной и радкоизмерительной технике.

Известны формирователи парных импульсов с регулируемым временем сдвига между импульсами, содержащие транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, два диода с накоплением заряда, диод источник питания, источник прямого смещения для упомянутого диода. Такие формирователи имеют узкий диапазон регулирования времени сдвига между импульсами без уменьшения амплитуды импульсов и не обеспечивают независимого регулирования длительности первого импульса и времени сдвига между импульсами.

В целях устранения указанных недостатков в предлагаемый формирователь парных импульсов введен второй транзистор, эмиттер которого через первый диод с накоплением заряда соединен с одной шиной источника питания, коллектор через переменный резистор и последовательно соединенные второй диод с накоплением заряда и резистор подключен соответственно к упомянутому источнику прямого смещения и другой шине источника питания, база соединена с источником запускающих импульсов. Причем средняя точка между вторым диодом с накоплением заряда и резистором подключена через диод к коллектору первого транзистора, средняя точка между эмиттером второго транзистора и первьгм диодом с накоплением заряда через резистор и переменный резистор соединена соответственно с базой первого транзистора и дополнительным источником прямого смещения для диода с накоплением заряда.

На чертеже изображена принципиальная схема предлагаемого формирователя парных импульсов.

Анод диода 1 с накоплением заряда, катод которого соединен с источником положительного напряжения 2, подключен к эмиттеру транзистора 3 и через резистор 4 переменного сопротивления к другому источнику положительного напряжения 5. База транзистора 3 связана с источником входных сигналов 6, его

коллектор соединен с катодом диода 7 с накоплением заряда и через резистор 8 переменного сопротивления с источником отрицательного напряжения 9. Анод диода 7 непосредственно соединен с анодом диода 10, катод которого подключен к точке соединения коллектора транзистора 11 и нагрузки 12, а через резистор 13 - с общей шиной. Эмиттер транзистора 11 связан с источником положительного напряжения 2, а его база через резистор

14 - с эмиттером транзистора 3.

В исходном состоянии транзисторы 3 и 11 закрыты, а через диоды 1 и 7 протекают прямые токи, накапливая заряд в их базах.

При поступлении входного сигнала отрицательной полярности транзистор 3 открывается, через диоды 1 и 7 начинает протекать обратный ток, рассасывая накопленный заряд в их базах. Причем формируемый на резисторе 13 положительный перепад напряжения через диод 10 поступает на нагрузку 12. Благодаря тому, что каждый из диодов имеет свой источник прямого смещения (для диода 1 - источник напряжения 5 и резистор 4, для диода 7 - источник напряжения 9 и резистор 8), имеется возможность осуществлять независимую и раздельную регулировку длительности фазы высокой обратной проводимости каждого из диодов. Величины резисторов 4 и 8 выбраны таким образом, что длительность фазы рассасывания диода 1 всегда превышает длительность фазы рассасывания диода 7. Поэтому сначала всегда восстанавливается обратное сопротивление диода 7.

В момент выключения диода 7 на резисторе 13 происходит формирование импульса, длительность которого определяется длительностью фазы рассасывания диода 7 и может регулироваться изменением сопротивления резистора 8. Этот импульс через диод 10 поступает на нагрузку 12 и является первым из парных импульсов, формируемых на выходе. В момент выключения диода 1 на эмиттере транзистора 3 формируется отрицательный перепад напряжения. Этот перепад через резистор 14 поступает на базу транзистора 11 и открывает его. При этом на коллекторе транзистора 11 формируется положительный перепад напряжения, являющегося передним фронтом второго из парных импульсов. Задержка фронта второго импульса относительно переднего фронта первого импульса определяется длительностью фазы высокой обратной проводимости диода 1 и может регулироваться изменением сопротивления резистора 4. Задний фронт второго из парных импульсов формируется на нагрузке 12 в момент окончания действия сигнала на входе формирователя парных импульсов.

Таким образом, формирователь парных импульсов осуществляет независимую регулировку длительности первого из парных импульсов и времени сдвига между ними в широком диапазоне изменения соответственно длительности и времени сдвига, что обусловлено тем, что тракты формирования первого и второго импульсов разделены усилительным элементом на транзисторе 3.

Предмет изобретения

Формирователь парных импульсов с регул фуемым временем сдвига между импульсами, содержащий транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, два диода с накоплением заряда, диод, источник питания, источник прямого смещения для упомянутого диода, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона регулирования времени сдвига между импульсами без уменьшения амплитуды импульсов, независимого регулирования длительности первого импульса и времени сдвига менаду импульсами, в него введен второй транзистор, эмиттер которого через первый диод с накоплением заряда соединен с одной шиной источника питания, коллектор через переменный резистор и последовательно соединенные второй диод с накоплением заряда и резистор подключен соответственно к упомянутому источнику прямого смещения и другой шине источника питания, база соединена с источником запускающих импульсов, причем средняя точка между вторым диодом с накоплением заряда и резистором подключена через диод к коллектору первого транзистора, средняя точка между эмиттером второго транзистора и первым диодом с накоплением заряда через резистор и переменный резистор соединена соответственно с базой первого транзистора и дополнительным источником прямого смещения для диода с накоплением заряда.

5fП

Г

Вход 0-