аСЕСОЮЗНАЯ Советский патент 1973 года по МПК H01L21/66 G01R31/26 

1

Предлагаемое изобретение относится к полупроводниковым приборам и может быть использовано при изготовлении и испытании полупроводниковых приборов и схем.

Известные способы испытания полупроводниковых приборов со структурой металл - диэлектрик- полупроводник, например транзисторов и интегральных схем, путем одновременного воздействия на них температурой и электрического поля не обладают простотой процесса испытания.

По предлагаемому способу с целью упрощения процесса испытания соединяют накоротко затворы прибора с остальными электродами, затем подвергают приборы воздействию температуры, величину и время выдержки которой выбирают достаточными для перераспределения заряда в диэлектрике и изменения параметров испытуемого прибора под воздействием электрического поля, вызванного контактной разностью потенциалов структуры прибора.

По предлагаемому способу испытания полупроводниковых приборов величина контактной разности потенциалов в системе металл - диэлектрик- полупроводник (МДП) зависит от природы металла и полупроводника. В частности, в системе А1 - SiOa - Si величина контактной разности потенциалов между А1 и Si достигает 0,8 эв.

Если внешним проводником соединить накоротко затвор МДП-прибора с подложкой или/и истоком или стоком и поместить прибор в среду с повышенной температурой, то при достаточно высокой температуре произойдет перераспределение заряда в диэлектрике под действием электрического поля, вызванного контактной разностью потенциалов. Согласно предлагаемому изобретению способ испытания МДП приборов заключается в том, что после измерения параметров приборов электроды приборов закорачивают и приборы помещают в среду с повыщенной температурой, величина которой достаточна

для перераспределения заряда в МДП структуре. После выдержки приборов в течение заданного промежутка времени производится повторный замер параметров приборов.

Предмет изобретения

Способ испытания полупроводниковых приборов со структурой металл - диэлектрик - полупроводник, например транзисторов и интегральных схем, путем одновременного воздействия на них температурой и электрическим полем, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса испытания, соединяют накоротко затворы прибора с остальными электро3дами, затем подвергают приборы воздействию температуры, величину и время выдержки которой выбирают достаточными для перераспределения заряда в диэлектрике и изменения 4 параметров испытуемого прибора под воздействием электрического поля, вызванного контактной разностью потенциалов структуры прибора.