Полупроводниковый многослойный переключающий прибор Советский патент 1978 года по МПК H01L23/00 

Изобретение относится к электрон ной технике. Известны полупроводниковые переключающие приборы и устройства, обладающие вольтамперной характеристикой с двумя устойчивыми состояния ми и имеющие строго фиксированные напряжения включения. Однако напряжения включения этих приборов имеют ограниченный диапазон (8-12 В), обусловленный конструктивными особенностями приборов. Цель изобретения - расширение Диапазона напряжений включения. Это достигается тем, что в пред лагаемом полупроводниковом многослойном переключаквдем приборе в области узкой базы имеется выемка, на дне .которой расположен слой про тивоположного типа проводимости, причем площадь его меньше площади дна выемки, ар-п переход, образов ный этим слоем и узкой базой, не касается боковых стенок выемки. На чертеже схематически изображ предлагаемый полупроводниковый пер ключающий прибор, например, р-f-p.типа. Прибор содержит эмиттер 1 с роводимостью р-типа, контакт 2, азу 3 с проводимостью h -типа, азу 4 с проводимостью р-типа,эмитер 5 П -типа, контакт 6, дополниельный слой 7 п-типа, контакт 8 изолирутадее покрытие 9. Размеры и электрофизические характеристики слоев выбирают из условий реализации и необходи1 шх значений рабочих токов .и напряженигГ. Принцип работы прибора заключается в следуюцем. Для получения величины напряжения включения более 12В по управляющему электроду величину поверхностной концентрации р -базы выбирают/ 10 , благодаря чему реализуется достаточная эффективность h -эмиттера 5, а наличие выемки обеспечивает снижение концентрации в области дна выемки и тем самым увеличивает пробивное напряжениер-П- перехода, образованного р-базой 4 и слоем 7. Изменяя глубину выемки можно в щироком диапазоне значений менять величину управляющего напряжения. Для получения значений управляющего напряжения менее 8 В необходи8МО поднять nobepXHoctHyro концентрацию р -базы до нужного значения, а глубину выемки выбрать из условия получения достаточной эффективности п-эмиттера; при этом h-эмиттером служит слой 7, а дополнительным слоем - эмиттер 5. В рассмотренном примере выбран §пйтаксиал ьно- 1п;1анарный вариант структуры, однако это не принципиешьно и предлагаемая конструкция может быть реализована любыми другими способами. Конструкция обеспечивает возможность получения симмет ричных характеристик при соответств ющем расположении областей. Формула лзобретения .Полупроводниковый многослойный Переключакнций прибор, содержащий полупроводниковый кристалл с последовательно Чёредукицимися слоями . противоположного типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью расяиирения диапазона напряжений включения, в области базы Р-типа проводимости имеется выемка, на дне которой расположен дополнительный слой П-типа, причем площадь дополнительного слоя меньше площади дна выемки, ар-П переход, образованный дополнительным слоем и узкой базой, не касается боковых стенок выемки.