ЙО?СОЮЭНЛ-чi]ATnfniO-TExv".^--V'I Советский патент 1973 года по МПК G01R31/00 G01R27/26 

1

Изобретение относится к области измерительной техники.

Известны устройства для .измерения частотных характеристик диэлектрической проницаемости е и тангенса угла потерь tg6 различных веществ, основанные на мостовом или резонансном методе. Однако эти методы обладают существенными недостатками, так как требуется тщательная настройка измерителя, а также большой объем вычислений по каждому измерению.

Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что с целью упрощения структурной схемы, расширения частотного диапазона и повыщения точности измерения е и tg б, стенд выполнен в виде симметричных емкостных делителей напряжения, каждый из которых состоит из емкостного датчика и добавочного конденсатора. К делителям подключен выход свип-генератора. Напряжения от датчиков, в поле одного из которых помещается исследуемое вещество, подаются на входы векторомерных фазометров и вычислительных блоков, выходы которых подключаются к панорамным регистрируюн им приборам.

Изобретение поясняется чертежом.

Симметрично выполненные емкостные дели тели содержат конденсаторы 1, 2 н датчики о. 4. В поле одного из датчиков помещено исследуемое вещество 5. На параллельно соединенные делители подключено напряжение от свип-генератора 6. Незаземленные обкладки датчиков подключены ко входам блока деления 7, векторомерного фазометра 8, а также через фазовращатели 9, 10 ко входам векторомерного фазометра П. Выходные цепи векторомерных фазометров 8, 11 подключены к блоку деления 12.

Выходные цепи делительных блоков 7, 12 подключены ко входам панорамных регистрирующих приборов 13, 14.

Скорость свипирования свип-генератора и быстродействие регистрирующих приборов со. гласованы. В процессе измерения амплитуда и фаза напряжения на обкладке датчика 3 изменяется в зависимости от частотных характеристик диэлектрических свойств исследуемого вещества, а амплитуда и фаза напряжения на обкладке датчика 4 остаются неизменными ввиду постоянства параметров делителя (2, 4) в достаточно широком диапазоне частот. Напряжения от датчиков подаются на входы блока деления 7, на выходе которого напряжение пропорционально кажущейся диэлектрической проницаемости ек вещества: е1; еист(). Напрял ение, пропорциональное ек, регистрируется с помощью панорамного прибора 13.

Напряжения от датчиков подаются также на входы векторомерного фазометра 8 и через фазовращатели Я 10 на входы векторомерного фазометра //. Выходное напряжение фазометра 5 пропорционально tg6, а выходное напряжение фазометра /У - sin 6. Таким образом на выходе делителя напряжение пропорционально tg б. Оно регистрируется с помощью панорамного прибора 14. По частотным характеристикам БК и tg6 расчетным путем могут быть определены частотные характеристики диэлектрических параметров вещества

Предмет изобретения

1. Стенд для измерения частотных характеристик диэлектрических свойств веществ, содержащий свип-генератор, емкостные делители напряжения, векторомерные фазометры, фазоврап1ател,и, вычислительные блоки и панорамные регистр:ирующие приборы, отличающийся тем, что, с целью упрощения структурной схемы и расщирения частотного диапазона выход свип-генератора подключен к двум делителям, состоящим из симметрично смонтированных друг к другу и по отнощению

к входным и выходным цепям емкостных датчиков и добавочных конденсаторов, а выходы датчиков, в поле однюго из которых помещается исследуемое вещество, соединены с входами вычислительных блоков, выходы которых

подключены к панорамным регистрирующим приборам.