ВСЕСОЮЗНАЯ lOATEHTHO-TEX^i^JECHAI^ Советский патент 1973 года по МПК H01J19/32 

1

Изобретение относится к конструированию электровакуумных приборов, в частности к конструкции камерных анодов электровакуумных приборов.

Известны конструкции камерных анодов электровакуумиых приборов, камеры которых образованы пластинчатыми ребрами, из которых удалена внутренняя часть ребра.

Однако, такая конструкция анода «е обеспечивает достаточной электрической прочности при сохранении эффекта подавления вторичной эмиссии. Предлагаемая конструкция анода отличается от известной тем, что часть ребра, примыкающая к поверхности анода, выполнена в виде сплошной стенки с высотой порядка расстояния между ребрами, а продолжение стенки выполнено в виде ряда штырей с высотой порядка расстояния между штырями. Это позволяет повысить эффективность подавления вторичной эмиссии.

На чертеже изображена конструкция предлагаемого анода. Анод содержит сплошную стенку Л примыкающую к поверхности анода 2 и штырь 3.

Каждое ребро выполняется в виде сплошной стенки с высотой, не меньшей расстояния между ребрами, а продолжением стенки служат штыри с высотой приблизительно равной расстоянию между штырями, которое равно в свою очередь расстоянию между ребрами. Высота сплошной стенки ребра не должна

быть меньше расстояния между ребрами, ибо, в противном случае, возможен выход из коллектора отраженных вторичных электронов подавление ионов будет недостаточно эффективным. Высота штыря определяется тем, что внешнее электрическое поле «провисает вглубь камеры на расстояние порядка размера входного отверстия. Увеличение высоты штыря за счет зменьшения высоты сплошной стенки нежелательно, поскольку отраженные вторичные электроны или ионы, которые попадали бы на стенку в отсзтствие внешних полей, выйдут из коллектора, пройдя между штырями.

В этой конструкции камера экранирована от внешних электрических полей, а непосредственно на экранирующие штыри попадает лишь незначительная часть электронов.

Предмет изобретения

Анод электровакуумного прибора камерного типа, камеры которого образованы пластинчатыми ребрами, причем часть ребра удалена, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности подавления вторичной эмиссии, часть ребра, примыкающая к поверхности анода, выполнена в виде сплошной стенки с высотой порядка расстояния между ребрами, а продолжение стенки выполнено в виде ряда штырей с высотой порядка расстояния между штырями.