Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей полупроводниковых приборов Советский патент 1980 года по МПК G01R31/26 

В исходном состоянии с генератора 1 импульсы тока не поступают, электронный ключ 2 открыт, испытуемый полупроводниковый прибор 3 закры сигнала на токосъемном элементе 4 и усилителе 5 нет. При поступлении импульса прямого тока от генератора 1 импульс тока положительной полярности проходит через электронный ключ 2, поступает на испытуемый полупроводниковый прибор 3 и токосъемный элемент. Испытуемый прибор 3- открывается и через него начинает протекать прямой ток. В п-базе испытуемого полупроводникового прибора происходит накопление заряда. По окончании импульса прямого то с генератора 7 переключающих импуль сов поступает импульс отрицательной полярности. При этом в п-базе испыту емого полупроводникового прибора на нается рассасывание неосновных носителей тока, или извлечение накопленного заряда, которое вызывает изменение потенциала на токосъемном элементе 4. Им пульс напряжения с токосъемного эле мента поступает на вход усилителя 5 Усилитель выделяет и.усиливает отри цательную полярность изменяющегося перепада потенциалов и подает импульс на управляющий вход электронного ключа 2. Электронный ключ закрывается и открывает цепь: испытуе мый полупроводниковый прибор 3 - ге нератор 1, не допуская утечки заряд на внутреннее сопротивление генератора 1. Усиленный сигнал с усилителя 5 подается через другой выход также на устройство регистрации. По извлечении всего накопленного заряда из п-базы испытуемого полупроводникового прибора 3 он запирается, и сигнал на входе усилителя Становится равен нулю. Электронный ключ 2 открывается и устройство возвращается в исходное состояние. При измерении tp путем определения времени рассасывания усилитель 5 выделяет интервал времени, соответствующий времени рассасывания, а устройство регистрации б измеряет этот .временный интервал. При измерении Тр путем определения извлеченного заряда усилитель 5 выделяет сигнал, пропорциональный площади ограниченной кривой обратного тока испытуемого полупроводникового прибора, а устройство регистрации 6 измеряет величину этого сигнала. Формула изобретения Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей полупроводниковых приборов, содержащее генератор тока, генератор переключающих импульсов, подключенный к аноду испытуемого полупроводникового прибора, токосъемный элемент, вход которого подключен к катоду испытуемого полупроводникового прибора, а -выход к последовательно соединенным усилителю и блоку регистрации, отличающееся тем, что, с целью упрощения устройства, в него введен электронный ключ,вход которого соединен с генератором тока,выход - с анодом испытуемого полупроводникового прибора, а управляющий вход - с усилителем. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Думгус А.А., Дайлиденас В.М. Сравнительный анализ методов измерения времени жизни носителей в диодах с накоплением заряда. Сб. Радиоэлектроника, V Всесоюзная.научнотехническая конференция,Каунас-Вильнюс, 1973, т. 2. 2. Авторское свидетельство СССР № 337738, кл. G 01 R 31/26, 1970 (прототип).

-гФ1