БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ МУЛЬТИВИБРАТОР Советский патент 1973 года по МПК H03K3/30 

1

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в качестве генератора прямоугольных импульсов в устройствах вычислительной техники и автоматики.

Известен быстродействующий мультивибратор на транзисторах с коллекторно-базовыми связями, содержащий один времязадающий резистор, подсоединенный одним выводом к базам транзисторов посредством двух полупроводниковых диодов, и два дополнительных полупроводниковых диода.

Цель изобретения - повыщение надежности и сокращение схемных элементов. Для этого другой вывод времязадающего резистора подсоединен через дополнительные полупроводниковые диоды к коллекторам транзисторов мультивибратора.

Иа чертеже изображена принципиальная электрическая схема предлагаемого быстродействующего мультивибратора.

Он содержит транзисторы / и 2, времязадающий резистор 3, один вывод которого через диоды 4 н 5 подсоединен к базам транзисторов. Второй вывод резистора 3 подключен к коллекторам транзисторов через диоды 6 к 7. Диод 4 и база транзистора 2 через конденсатор 8 соединены с коллектором транзистора /. Диод 5 и база транзистора 1 через конденсатор 9 соединены с коллектором транзистора 2. В коллекторные цепи транзисторов У и 2 включены резисторы 10 и //.

В одном из квазиустойчивых состояний транзистор / находится в режиме насыщения, транзистор 2 - в режиме отсечки, конденсатор 8 разряжается через диод 4, резистор 3, диод 7, резистор Jij источник питания и эмиттер-коллекторный переход насыщенного транзистора /. В течение времени разряда конденсатора 8 диоды 5 и б находятся в закрытом состоянии, так как их р-я-переходы смещены в обратном

направлении. Транзистор / находится в насыщении под действием тока заряда конденсатора 9, который протекает через резистор /У, источник питания, переход эмиттер-база насыщенного транзистора /.

По мере разряда конденсатора 8 потенциал база-эмиттер транзистора 2 понижается и как только станет равным потенциалу отпирания транзистор 2 открывается. К этому времени заряжается конденсатор 9, ток в базе транзистора / прекращается, и транзистор / закрывается.

Транзистор 2 открывается под действием- тока заряда конденсатора 8, который протекает по цепи резистор 10, источник питания, переход эмиттер-база транзистора 2. Конденсатор 9 разряжается по цепи диод 5, резистор 3, диод 6, резистор 10, источник питания, эмиттер-коллекторный переход насыщенного транзистора 2. Далее процессы повторяются.

Схема предлагаемого быстродействующего мультивибратора позволяет значительно уменьшить величину резистора 3 (до 6-7 ком при величине сопротивления резисторов 10 и 11 1 ком, ОСтавив сравнительно большими величины емкостей конденсаторов 5 и 9 (до 500 пф.

При этом сохраняется достаточно большая крутизна переднего фронта имнульса и обеспечивается высокая частота автоколебаний в режиме мягкого самовозбуждения (до 250 кгц на транзисторах МП16Б).

Амплитуда выходного импульса мультивибратора близка к величине напряжения питания при соотношении величин резисторов 3, 10 и // 3 3,, (, 10 и -величины сопротивлений резисторов 3, 10 и //).

Предмет изобретения

Быстродействуюш;ий мультивибратор на транзисторах с коллекторно-базовыми связями, содержаш,ий один времязадаюший резистор, подсоединенный одним выводом к базам транзисторов посредством двух полупроводниковых диодов, и два дополнительных полупроводниковых диода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и сокрашения схемных элементов, другой вывод времязадаюшего резистора подсоединен через дополнительные полупроводниковые диоды к коллекторам транзисторов мультивибратора.

70

//