1
Изобретение отиосится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминаюш их устройствах на цилиндрических тонких магнитных пленках, нанесенных на диэлектрической подложке.
В известных запоминающих устройствах на цилиндрических тонких магнитных нленках из-за близко расположенных элементов между разрядными линиями и между числовыми и разрядными в момент считывания и записи возникают достаточно большие помехи, которые в основном носят емкостный характер. Для устранения этих помех используют конструктивные методы: применяют проводящие заземленные пластины между матрицами, увеличивают расстояние между линиями. Однако эти методы не позволяют полностью уничтожить помехи и в то же время увеличивают габариты запоминающих устройств. Для устранения этих помех используют схемные методы: применяют реакторы, пользуются сложные балансные схемы усилителя считывания. Однако эти методы заметно усложняют электронику управления запоминающего устройства.
В нредлагаемом элементе памяти для повышения помехоустойчивости заземляют магнитную пленку, которая, кроме выполнения функций запоминання информации, служит в качестве электростатического крана.
На чертеже показан предлагаемый элемент и приняты следующие условные обозначения: 7 - металлический проводник; 2 - диэлектрическая подложка; 3 - числовая линия; 4 - цилиндрическая магнитная пленка.
Предлагаемый элемент намятп, экснери.ментально исследованный, был изготовлен на основе магнитной пленки, нанесенной на медный
провод в стеклоизоляции. Провод в стеклоизоляции получали методом литья; диаметр медного провода й 0,1 мм, толщина стеклоизоляции -15-20 мкм. На нее химическим нутем осаждали слой Ag (0,3 мкм.}, зате.м Си
(,0 мкм.) и, наконец, электролитическим методом наносили пленку FeNi (1,0 мкм). AVarнитную пленку заземлили, как изображено на чертеже, и, таким образом, расстояние между пленкой-экраном и медным проводом, являющимся проводом записи-считывания, составило 15-20 мкм. Числовые шины конструктивно выполняли в виде плетеных соленоидов.
Испытания проводили на макете накопителя
емкостью 256 чисел, 51 разряд.
Эффективность предлагаемого элемента оценивалась нри сравнении с результатами пснытаний аналогичного накопителя, составленпого из матриц, разделепных медными электростатическими экранами.
Так как заземленная пленка-экран располагается между числовой п разрядной линнями, олпостью устраняется электростатнческая связь между ними, что принципиально певозможно при других способах экранирования. Это же относится и к электростатической связи между разрядными линиями.
Результаты испытаний показали, что суммарная помеха уменьнлается примерно на норядок. Следует учитывать, что приближение экрана к разрядному проводу увеличивает емкость между разрядным проводом и землей и, как следствие, увеличивает задержку сигнала
в разрядной линнн, однако, как показал эксперимент, она не существенна для накопителей средней емкости и средпего быстродействия.
Предмет изобретепия
Элемент памяти, содержащий цилиндрическую пленку, нанесенную на диэлектрическую подложку с расположенным внутри проводом записи-считывания, отличающийся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости, цилиндрическая магнитная пленка соединена с шиной нулевого потенциала.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Запоминающая матрица | 1981 |
|
SU970469A1 |
ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО | 1971 |
|
SU317105A1 |
ВСЕСОЮЗНАЯ | 1973 |
|
SU377877A1 |
ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ | 1970 |
|
SU262972A1 |
!^И5ЛИОТ;КЛ | 1973 |
|
SU368644A1 |
Накопитель информации | 1980 |
|
SU951396A1 |
Накопитель для запоминающего устройства | 1987 |
|
SU1462419A1 |
ЗАМКНУТЫЙ ТОНКОПЛЕНОЧИЫЙ МАГНИТНЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ | 1967 |
|
SU190414A1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОГО ЭЛЕМЕНТА ПАМЯТИ НА ОСНОВЕ ТУННЕЛЬНОГО ПЕРЕХОДА И ЕГО СТРУКТУРА | 2012 |
|
RU2522714C2 |
ОПЕРАТИВНОЕ ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО С ЧИСЛОВОЙ ВЫБОРКОЙ | 1972 |
|
SU424232A1 |
Даты
1973-01-01—Публикация