Изобретение относится к области электронно-вычислительной техники, а именно к области запоминающих устройств цифровы-х вычислительных машин. Известны элементы памяти на цилиндрической тонкой магнитной пленке, в которых в качестве подложки для нанесения тонкой пленки используется полая стеклянная трубка или тонкая проволока из проводящего материала. Недостатком известных устройств является малая амплитуда сигнала с пленочного элемента. Описываемый элемент памяти отличается от известных тем, что в нем провод записи- считывания последовательно соединен с магнитной пленкой так, что сигналы, индуцированные при считывании в проводе и пленке, суммируются. Это дает возможность увеличить амплитуду выходного сигнала и уменьшить ток записи. Устройство показано на чертеже, где / - числовой провод; 2-провод, соединяющий конец внутреннего проводника с началом тонкой магнитной пленки; 3- пермаллоевая пленка; 4-диэлектрик; 5-внутренний проводник. провода считывания - записи используется только внутренний проводник. Применение данного элемента памяти в накопителях большого объема ограничивается увеличением времени распространения сигнала и характеристического импеданса разряднон линии. Сопротивление пермаллоевой пленки в несколько раз цревышает сопротивление медного провода. Однако сопротивление иленки может быть значительно снижено увеличением ее толщины или толщины металлического подслоя. Таким образом, применение предложенного элемента памяти в накопителях среднего и малого объема весьма целесообразно, так как значительно улучшает параметры ЗУ.  изобретения Элемент памяти на тонкой магнитной пленке, нанесенной на поверхность диэлектрической цилиндрической подложки с цроходящим внутри нее проводом записи-считывания, отличающийся тем, что, с целью увеличения выходного сигнала и уменьшения тока записи, провод записи-считывания последовательно соединен с магнитной пленкой так, что сигнаы, индуцированные при считывании в проводе и пленке, суммируются.
| название | год | авторы | номер документа | 
|---|---|---|---|
| Способ выполнения магнитной структуры на тонких пленках | 1968 | 
 | SU444381A1 | 
| ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ СО СЧИТЫВАНИЕМ ИНФОРМАЦИИ БЕЗ РАЗРУШЕНИЯ | 1966 |  | SU187408A1 | 
| МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ПОРОГОВЫЙ НАНОЭЛЕМЕНТ | 2008 | 
 | RU2377704C1 | 
| МАГНИТНЫЙ НЕЙРОН | 2001 | 
 | RU2199780C1 | 
| ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ | 1973 |  | SU394849A1 | 
| Способ изготовления запоминающей матрицы | 1989 | 
 | SU1711228A1 | 
| МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1993 | 
 | RU2155994C2 | 
| ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ НА ПЛАНАРНОМ ЭФФЕКТЕ ХОЛЛА | 2006 | 
 | RU2320033C1 | 
| Накопитель для запоминающего устройства | 1982 | 
 | SU1067533A1 | 
| МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ПОРОГОВЫЙ НАНОЭЛЕМЕНТ | 2007 | 
 | RU2342738C1 | 
 
		
         
         
             
            
               
            
Даты
1970-01-01—Публикация