ДИНАМИЧЕСКИЙ ЭЛЕЛ\ЕНТ Советский патент 1973 года по МПК H03K19/84 

Предлагаемый yimisep сальны и динамичеОК|ИЙ элемент от1носит1ся к областн вычислителыюй техлийи и предназначен для июлользовалия в качестюе ло-гичеокого элемента в цифровых выЧlИiCлитiev ьныx ycxpoftcTiBax.

Известны динамические элементы, соде1ржащие входную логическую цепь, два шьввртнрующих транзи стора, переключающий трллЗИ1СТОр.

Пред.юженный динамический элемент отлнчается от известных тем, что в него введе.ны два диода с на коплением заряда, нршчел база парового И11:ве:ртирующего тра.нздастора соединена с одноимеННыми вьиводами диода и пер; 3ого диода с на-коплением заряда, другие выводы которых подключены соответстве1Н1НО к коллекторам пераключаюп,его и второго ннвертирующего транзисторав, а база второго и-мвертирующего транзистора соеди.иена с эм нттером переключ-ающего транзистора и через второй диод с накоплением заряда - с коллектором первого инвертирующего траизистора, что знач:ительно снижает потребляемую мощность л увеличивает быстродействие элемента.

Па чертеже дама пряицилиальиая схема пр е дл а г а е:М о г о элемента.

Универсальный диналшчвакий элемент содержит входную лопичвокую цель на диодах /, 2 и резистаре 3, переключающий тралзистор- j вк.тючающий диод 5, пер:вый инвертирующий

тра:нз истар 6, nepiBbiii д)юд / с на:КОнле.1.)гем заряда, второй :к1верт1фующий траизистор 8, второй диод 9 с нл;К:Оплен1ием заряда, резисторы W, 11 и 12, входы «И элементов 13 и 14, вход расщирения по «П 15, входы расш ирепия по «ИЛП 16 и 17, прямой вы.ход 18, ипвер.аный выход 19, тину 20 тактовых нм1пульсов и Щ|ину 21 коллекторного питания.

Элемент работает следующн1М образо1М.

Па прЯмом вьгхоце 18 в исходном состояли находится ниэкий уровень поте Щиала, при1нятый за «О, а на инверсном выходе-высокий уровень, нр.;.1нятый за «1. Тогда при налагчии на входах 13 и 14 высокого уравшя потеицшала с дриходом очередного та ктового нлгпульса ток от источника тактовых И1мпульсов через резистор 3 течет в базу транзисторов 4 и 8, которые насыщаются, транзистор 6 быстро закрывается каллектор иым током транзистора 8 через расса1сььвающнй диод 7 с накоплением. Па HHBepicHOM выходе 19 устана.влшюается «О, на выходе 18 - «1. Папряжаиие на коллекторе транэистора 4 меньше наоряжения открЫ|ВаН1 Я носледовательно соединен.ных диода 5 л транз гстора 6, поэтому тра1Н31Истор 6 остается в закрыто1М состояние.

По окончании прохождения такто1вого импульса состояние на выходах 18 и 19 сохраняется неизмен:ньг.м независимо от состояния на входах элеме 1та за счет насыщен1ия Tpaaiзистора 8 током, протекаюшдм через диод 9 резистор 11 от источника iKo-i.TeKTOipaioro питания Ек.

При наличии хотя бы на входе «И ниакого зфовня потенциала .к момекту прихода тактоизого имлульса траизистар 4 закрыт, ток от Источ ника тактовых имотулыоов через резистор 10 и включающий диод 5 течет в не;рвого имвдртяпрующего траНзиютор.а 6 (трашзпстор 4 три этом закрыт). Транзистор 6 нясыщается, Т ранзисто1р 8 бы€Т)ро закрывается коллектор,ны|м током траИЗ Истора 6 через ра.осасысающий диод 9 с на коолением. На прялюм выходе 18 yoтaнaiвлиlвaeтcя «О, па ииварсиоа выходе 19 -«1.

По окончаиии прохождения тактового ,нмпульса состояа1ие на выходах 18 и 19 сохраняется иеизмаины м независимо от состояния па входах эламбита за счетНа сыщения транзистора 6 , протекающем через диод 7 и резистор 12 от нсточпнка коллекторного пптаппя,

П р е д Л е т п з о б р е т е П и я

Д:.(1памичеок1нй элемент, содержащий входпую логическую цеш), два Инвертирующих транзистора, .нереключающнй транзистор и диад, отличающийся тем, что, с целью умеиьП1елия потребляемой мощности п увеличения бы;стродейств1ия элемента, в него введены два диода с накоплением заряда, ир.ичэм базаперВого ипазертирующего транзистора соединена с одноп:м&}М1ЫМи выводами диода и HapiBoro диода с на коплением заряда, другие выводы которых подключены соответственно IK коллектора М переключающего и второго инвертируюHiero транзисторов, а база второго инвертируюн его транзистора соединена с Э1МиттерОМ переключающего транзистора и через второй диод с па конлением заряда-с коллектором первого инвертирующего транзистора.

1