Изобретение относится к получениюэпитаксиалшых слоев полупроводниковых материалов, в частности к пр-одессаМ получения эпитаксиалыных слоев гермадаия восстановлением его тетрахлорида в водороде.
Известен способ получения эпитаксиальных слоев германия воостаиовлением тетрахлорида германия в водороде на германиевых подложках с ориентацией III в интервале 820- 850° С.
Цель изобретения - получить эпитаксиальные слои Германия без .макроскопических дефектов «бугорков или с неэначителыньш их количеством.
Это достигается тем, что при 780-810° С наращивают слой тоЛЩиной 0,1 - 1 мкм. Затем inpH телшературе до (820-860° С продолжают рост слоя до заданной толщииы.
Наращивание монокристаллического эпитаксиального слоя толщиной 0,1 - 1 мкм не позволяет воЗНикать «бугоркам, «запечатывая дефекты подложки, и препятствует образованию микросплавОВ, возникающих до начала эпнтаксиального роста при взаимодействии с заЛрязненИями нодложки, газов и применяемых материалов.
Пример 1. СнОСОб испытан на онытнопро.мышленных установках.
При испытаНиях наращивают слои толщиной 150 МКМ со скоростью 0,7 мкм/мин на
германиевых подложках р-тина нроводи.МОсти с удельным сопротивлением 0,75 ом-см, ориентированных в нанравленИИ III, Яиаметром 28 MiM. Окончательная обработка поверхности подложек - ал.мазная полировка. Перед наращиванием нодложжи травят газообразным хлористым водородом.
Наращивают слой толщиной 1,0 мжм при 780° (3, а затем повышают температуру до 830° С со скоростью 50 град-мин и наращивают слои заданной толщины. Среднее количество бугорков на il4 слоях не более 4.
Пример 2. По прИмеру 1 наращивают слои толщиной 0,1 -мкм при вОО°С, затем новышают температуру до 830°С со скоростью 10 Град-мин и нродолжаЮт рост при этой температуре. Среднее количество бугорков на 14 слоях Не более 5.
При наращивании слоя известным способом при 830° с; среднее количество бугорков на 14 слоях составляет не менее 150 шт, т. е. 25 см-2.
Предмет изобретения
25
Способ выращивания эпитаксиальных слоев
гер 1ания осаждением их на подложке при
восстановлении тетрахлорида германия при
30 820-850°С, отличающийся тем, что, с
Целью лолучения слоев без дефектов под «азваиием «бугорки, иа подложке шредварителыно при 780-810°С наращивают слой толЩИ1НОЙ 0,1 - 1 М:КМ.
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| УПРАВЛЕНИЕ ДИСЛОКАЦИЯМИ И НАПРЯЖЕНИЯМИ В БЕЗМАСКОВЫХ ПРОЦЕССАХ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПАТТЕРНИРОВАНИЯ СУБСТРАТОВ И СПОСОБЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ УСТРОЙСТВ | 2011 |
|
RU2570220C2 |
| Способ обработки пластин С @ А @ | 1991 |
|
SU1783594A1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НА ПОДЛОЖКАХ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ | 1990 |
|
SU1800856A1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО СЛОЯ КРЕМНИЯ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ | 2016 |
|
RU2618279C1 |
| СПОСОБ НАРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СЛОЁВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР | 2018 |
|
RU2715080C1 |
| СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ ГЕРМАНИЕМ | 2006 |
|
RU2354001C2 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ | 1990 |
|
RU1771335C |
| Способ получения многослойной гетероэпитаксиальной p-i-n структуры в системе AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии | 2017 |
|
RU2647209C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНОПРОВОЛОК, МАТРИЦА НАНОПРОВОЛОК ИЗ НИТРИДОВ ЭЛЕМЕНТОВ III ГРУППЫ ПЕРИОДИЧЕСКОЙ ТАБЛИЦЫ (ВАРИАНТЫ) И ПОДЛОЖКА (ВАРИАНТЫ) | 2007 |
|
RU2437180C2 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР С ВНУТРЕННИМ ГЕТТЕРОМ | 1990 |
|
SU1797403A1 |
